HMC941A 0.5dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器，0.1-30GHz技术手册

概述
HMC941A裸片是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器MMIC芯片。在0.1到30 GHz频率下运行，插入损耗低于4 dB典型值。对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰减精度非常高，典型步长误差小于± 0.5 dB，IIP3为+45 dBm。五个控制电压输入在+5V和0V之间切换，用于选择每个衰减状态。
数据表：*附件：HMC941A 0.5dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器，0.1-30GHz技术手册.pdf

应用

• 光纤和宽带电信
• 微波无线电和VSAT
• 军用无线电、雷达和ECM
• 空间应用

特性

• 0.5 dB LSB步进至15.5 dB
• 每位单正控制线
• 误码率：±0.5 dB（典型值）
• 高输入IP3：+45 dBm
• 裸片尺寸：2.35 x 1 x 0.1 mm

框图

电气规格

焊盘描述

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应通过共晶或导电环氧树脂（见HMC通用处理、安装及键合说明）直接连接到接地层。
推荐使用在0.127毫米（5密耳）厚氧化铝薄膜衬底上的50欧姆微带传输线来传输芯片的射频信号（图1）。如果必须使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，芯片应抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面与衬底表面共面。一种实现方式是将0.102毫米（4密耳）厚的芯片连接到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）上，再将其连接至接地层（图2）。
微带传输线应尽量靠近芯片，以缩短键合线长度。芯片与衬底的典型间距为0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。

#处理注意事项

遵循以下注意事项，以免造成永久性损坏。

• 存储 ：所有裸芯片都应放置在华夫盒或凝胶基防静电容器中，然后密封在防静电袋中运输。防静电袋一旦打开，所有芯片都应存放在干燥氮气环境中。
• 清洁度 ：应在清洁环境中操作芯片。请勿尝试使用液体清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感度 ：遵循静电防护措施，防止静电冲击。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号和偏置电缆，以尽量减少电感耦合。
• 一般处理 ：使用真空吸头或锋利的弯镊子沿芯片边缘操作。芯片表面有脆弱的空气桥，请勿用真空吸头、镊子或钳子触碰。

安装

芯片背面有金属化层，可使用金锡共晶预成型片或导电环氧树脂进行芯片安装。
安装表面应清洁平整。

• 共晶芯片粘贴 ：推荐使用80/20金锡预成型片进行共晶芯片粘贴，工作表面温度为255°C，工具温度为265°C。在90/10氮氢混合气体中进行粘贴时，工具头温度应为290°C。请勿使芯片暴露在高于320°C的温度下超过20秒。粘贴所需的擦拭时间不应超过3秒。
• 环氧芯片粘贴 ：在安装表面涂抹少量环氧树脂，以便在芯片放置到位后，在其周边形成薄的环氧树脂溢边。按照制造商的时间表固化环氧树脂。

引线键合

使用0.025毫米（1密耳）直径的金球或楔形键合丝进行键合。热超声键合的标称平台温度为150°C，金球键合压力为40至50克，楔形键合压力为18至22克。使用最低水平的超声能量实现可靠的键合。键合应从芯片和终端的封装或基板开始。所有键合线应尽可能短，长度不超过0.31毫米（12密耳）。