HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1-33GHz技术手册

描述

概述
HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。

HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供较佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。

HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。
数据表:*附件:HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1-33GHz技术手册.pdf

应用

  • 测试仪器仪表
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  • 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
  • 宽带电信系统

特性

  • 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB
  • 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz)
  • 衰减精度:±0.5 dB(典型值)
  • 输入线性度
    o 0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)
    o 三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值)
  • 功率处理:27 dBm
  • 双电源供电:±5 V
  • CMOS/TTL兼容并行控制
  • 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装

框图
GaAs

引脚配置描述
GaAs

接口示意图
GaAs

典型性能特征
GaAs

应用信息

评估板

HMC939ALP4E使用四层评估板。每层铜厚为0.5盎司(0.7密耳)。顶层电介质材料是10密耳厚的Rogers RO4350,可实现最佳高频性能。中间层和底层电介质材料为FR - 4,用于提供机械强度并使电路板总厚度达到62密耳。射频走线布置在顶层铜层,底层铜层为接地层,为射频传输线提供稳固接地。
GaAs

射频传输线采用共面波导(CPWG)模型设计,线宽16密耳,与接地层间距13密耳,特性阻抗50Ω。为增强射频和热接地效果,在传输线周围和器件外露焊盘下方布置尽可能多的镀覆过孔。
图21展示了装有元件的HMC939ALP4E评估板俯视图(可向亚德诺半导体索取,见订购指南)。
评估板通过2×5引脚接头J3接地。所有电源和数字控制引脚也连接到J3。在电源走线上放置1 nF去耦电容,以滤除高频噪声。
RF1和RF2端口分别通过50Ω传输线连接到射频连接器J1和J2。一条直通校准线连接J4和J5,用于评估环境条件下估算印刷电路板的损耗。
图22和表6分别展示了评估板原理图和材料清单。
GaAs

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