ADRF5715硅数字衰减器，1位，1MHz至30GHz技术手册

概述
ADRF5715 是一款 1 位数字硅工艺衰减器，衰减率为 16 dB。

ADRF5715 的工作频率范围为 1 MHz 至 30 GHz，具有优于 1.15 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。ADRF5715 的 ATTIN 和 ATTOUT 端口的射频功率处理能力为 30 dBm 稳态平均值和 33 dBm 稳态峰值。

ADRF5715 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此套件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)-/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。

ADRF5715 也可以使用单个正电源电压 (V DD ) 下工作，同时负电源电压 (VSS) 接地。有关更多详细信息，请参见“工作原理”部分。

ADRF5715 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5715 采用符合 RoHS 标准的 12 端子、2.25 mm × 2.25 mm、LGA 封装， 并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
数据表：*附件：ADRF5715硅数字衰减器，1位，1MHz至30GHz技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G 毫米波
• 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)

特性

• 超宽带频率范围：1 MHz 至 30 GHz
• 衰减范围：16 dB（典型值）
• 低插入损耗
  • 0.6 dB (8 GHz)
  • 0.8 dB (18 GHz)
  • 1.15 dB (30 GHz)
• 衰减精度
  • ±0.15 dB 典型值，最高 18 GHz
  • 18 GHz 至 30 GHz：±0.20 dB（典型值）
• 高输入线性度
  • P0.1dB 插入损耗状态：33 dBm（典型值）
  • P0.1dB 16 dB 衰减状态：30 dBm（典型值）
  • IP3 插入损耗路径：51 dBm（典型值）
  • IP3 16 dB 衰减状态：49 dBm（典型值）
• 高 RF 功率处理能力
  • ATTIN 和 ATTOUT 的输入
    • 30 dBm（典型值）稳态平均值
    • 33 dBm（典型值）稳态峰值
• RF 幅度建立时间（0.1 dB 最终 RF OUT ）：6.5 μs（典型值）
• 支持单电源工作
• 在相对相位中紧密分布
• 无低频杂散信号
• 与 CMOS/LVTTL 兼容
• 12 端子 2.25 mm x 2.25 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，走线宽度为16密耳，接地间距为6密耳，特性阻抗为50Ω。为实现最佳射频和热接地效果，在传输线周围以及封装裸露焊盘下方尽可能多地布置了过孔。

射频输入和输出端口（ATTIN和ATTOUT）通过50Ω传输线连接。在VDD和VSS电源走线上，一个100 pF的旁路电容可滤除高频噪声。图20展示了ADRF5715的简化应用电路。

印刷电路板（PCB）设计建议

射频端口内部已匹配至50Ω，引脚布局设计用于与印刷电路板上具有50Ω特性阻抗的共面波导相匹配。图21展示了基于12密耳厚Rogers RO4003介电材料的推荐CPWG走线设计。对于2.2盎司成品铜厚，建议采用16密耳宽的射频走线和6密耳的间距。

图22展示了ADRF5715的射频走线、电源和控制信号的布线情况。接地层通过尽可能多的填充过孔连接，以实现最佳射频和热性能。器件的主要散热焊盘与底层相连。

图23展示了从ADRF5715的ATTIN和ATTOUT引脚到参考叠层上50Ω CPWG的推荐布局。PCB焊盘按1:1比例绘制，与器件焊盘对应。接地焊盘采用阻焊层定义，信号焊盘采用焊盘定义。从PCB焊盘引出的射频走线宽度为2密耳，并以90°角逐渐变细。助焊层也经过设计，可与焊盘匹配，且不减小开口尺寸。助焊层被划分为多个开口，以适应焊盘。

对于具有不同介电厚度和CPWG设计的其他PCB叠层，请联系亚德诺半导体技术支持获取进一步建议。