HMC624A 0.1GHz至6.0GHz、0.5 dB LSB、6位、GaAs数字衰减器技术手册

描述

概述
HMC624A是一款6位数字衰减器,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。

HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定频率范围内提供出色的衰减精度和高输入线性度。不过,该数字衰减器具有外部交流接地电容,可将工作频率扩展至低于100 MHz。

HMC624A集成两个裸片:CMOS驱动器和砷化镓(GaAs) RF衰减器。CMOS驱动器支持对RF衰减器进行串行和并行控制。该器件还提供用户可选上电状态和串行输出端口,可级联其他串行控制元件。

HMC624A采用3 V至5 V单正电源供电,提供CMOS/TTL兼容控制接口。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装,与[HMC1122]引脚兼容(ACGx引脚除外)。
数据表:*附件:HMC624A 0.1GHz至6.0GHz、0.5 dB LSB、6位、GaAs数字衰减器技术手册.pdf

应用

  • 蜂窝基础设施
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  • 测试设备和传感器
  • 中频(IF)和射频(RF)设计

特性

  • 衰减范围:0.5 dB (LSB)步进至31.5 dB
  • 低插入损耗:1.6 dB(3 GHz时)
  • 出色的衰减精度
  • 高线性度
    • 输入0.1dB压缩(P0.1dB):33 dBm(典型值)
    • 输入三阶交调截点(IP3):55 dBm(典型值)
  • 高RF输入功率处理:28 dBm
  • 低相移:25° (3 GHz)

框图
GaAs

引脚配置描述
GaAs

接口示意图
GaAs

典型性能特征
GaAs

应用信息

评估板

HMC624A采用四层评估板。每层铜箔厚度为0.5盎司(0.7密耳)。顶层的介电材料为10密耳厚的Rogers RO4350B,以实现最佳高频性能,而中间层和底层的介电材料为FR - 4型,使总板厚度达到62密耳。射频(RF)和直流(DC)线路布置在顶层铜箔层,底层是接地层,为射频传输线提供实体接地。

射频传输线采用共面波导(CPWG)模型设计,宽度为16密耳,接地间距为13密耳,特性阻抗为50Ω。为增强射频和热接地效果,在传输线周围以及封装裸露焊盘下方布置了尽可能多的镀通孔。

图33展示了已组装好的HMC624A评估板的俯视图,可向亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.)申请获取(见订购指南)。

评估板从直流引脚J11接地。直流电源必须连接到评估板的直流引脚J8。在电源走线上放置一个1 nF的去耦电容,以滤除高频噪声。

射频输入和输出端口(ATTIN和ATTOUT)通过50Ω传输线连接。ATTIN和ATTOUT端口通过330 pF电容进行交流耦合。一条直通校准线用于评估印刷电路板在环境条件下的损耗。

所有数字控制引脚通过数字信号走线连接到2×9引脚接头J3。HMC624A评估板还使用了两个双列直插式封装(DIP)、四位单刀双掷(SPDT)开关,用于在直接并行模式下手动控制器件。

图34和表9分别展示了评估板原理图和材料清单。
GaAs

GaAs

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