IC应用电路图
采用恒流供电方式是比较理想的LED供电方式,它能避免LED正向电压的改变而引起电流波动,同时恒定的电流使LED的亮度稳定,因此一般高级的LED电路选用恒流方式驱动LED。
下面设计的电路图是低成本高性能的LED恒流供电电路;
我们设计LED驱动电源时,应必须知道LED电流和电压特性,由于LED的生产厂家及LED规格不同,电流和电压特性均有差异。以白光LED典型规格为例,按照LED的电流电压变化规律,应用正向电压为3.0-3.6V左右典型值电压为3.3V电流为20mA。按电路图中电流和电压计算出I=2.5V/120=20mA;V=(3.3+3.3)/0.7=9.5v;由于电路恒流精度很高所以V可以在10V-12V取值,该电路也会自动将电流和电压稳定在正常值上。如果加于LED两端的正向电压超过3.6V正向电压增加很小但LED的正向电流都有可能会成倍增加,造成LED发光体温度上升从而加速LED光衰减,使LED的寿命缩短,严重时甚至烧坏LED。根据LED的电压和电流变化特性对LED电源的设计提出严格要求。设计人:老铎先生认为;LED虽然在节能方面比普通光源的效率高,但是LED光源却不能像一般的光源那样直接使用220电网电压,它必须配有专用的电源供电。提供能够满足LED额定的电压和电流才能使LED在正常工作范围的LED专用电源。但由于各种规格不同的LED电源的性能和转换效率各不相同,选择合适高效的LED专用电源能真正展露出LED光源高效能的特性。由于低效率的LED电源本身就需要消耗大量电能,所以在给LED供电的过程中就无法显示LED的节能特点。总之LED电源在LED工作中的稳定、节能、寿命具备重要的作用。
LED由于环保寿命长光电效率高等众多优点,近年来在各行业应用得以快速发展,LED电源成了关注热点理论上LED的使用寿命在10万小时以上,但在实际应用中由于驱动电源的设计方式选择不当,使LED光衰加快寿命缩短甚至损坏。很多厂家生产的LED灯类产品,采用阻容降压加上一个稳压二极管稳压,给LED供电这样驱动LED的方式存在缺陷,主要是效率低在降压电阻上消耗大量电能,甚至有可能超过LED所消耗的电能,且无法提供大电流驱动,因为电流越大,消耗在降压电阻上的电能就越大,所以很多产品的LED不敢采用并联方式,均采用串联方式降低电流。其次是稳定电压的能力差无法保证通过LED电流不超过其正常工作值,设计产品时都会采用降低LED两端电压来供电驱动,这样是以降低LED亮度为代价的。采用阻容降压方式驱动LED的亮度不能稳定,当供电电源电压低时LED的亮度变暗,供电电源电压高时LED的亮度变亮些。阻容降压方式驱动LED的最大优势是成本低。
根据LED电流电压变化特点,采用恒压驱动LED是可行的,虽然常用的稳压电路,存在稳压精度不够和稳流能力较差的缺点,但在某些产品的应用上可能过精确设计,其优势仍然是其它驱动方式无法取代的。还有一种LED驱动方式是可行的,它即不恒压,也不恒流,但通过电路的设计,当LED正向电压升高时,使驱动电流减小,保证了LED产品的安全。当然正向电压的升高只能在LED承受范围,过高也会损坏LED。理想的LED驱动方式是采用恒压恒流,但驱动器的成本增加。其实每种驱动方式均有优、缺点,根据LED产品的要求、应用场合,合理选用LED电源方式,精确设计电源成为关键。
卫生间控开关电路,可以用磁控六开关来控制卫生间内的照明灯和排风扇,实用性较强。该卫生间六控开关电路由电源电路和控制电路组成,如图所示。
R1~R6均选用1/4W碳膜电阻器。
RP选用小型膜式电位器(用来调节排风扇的延迟时间)。
C1、C2和C4均选用耐压值为16V的铝电解电容器;C3、C5~C7均选用涤纶电容器。
VD1~VD6均选用1N4007型硅整流二极管。
V1和V2均选用S9013或S8050型硅NPN型晶体管。
VT1和VT2均选用3A、400V以上的双向晶闸管。
ICl选用LM7812型三端集成稳压器;IC2选用CD4027型数字集成电路;IC3选用NE555型时基集成电路。
T选用3~5W、二次电压为l2V的电源变压器。
EL可选用15~60W的照明灯。
磁控开关SA选用常开型干簧管。
12V蓄电池自动充电电路会自动监测蓄电池电压,当蓄电池电压低于11V时,该电路自动对蓄电池充电直到将蓄电池充满(14.4V~14.7V左右)。
同时充满后自动关闭充电电路,直到蓄电池电压再次低于11V时对蓄电池再次充电。
电路原理说明电路见图。将蓄电池接人电路后,因Ql基极接有电容Cl,并且蓄电池电压达不到14.7V,这时Dl和Ql截止,R3为Q2提供基极电流,Q2饱和导通,继电器Jl吸合,市电经变压器T降压并经全桥整流后对蓄电池充电,当蓄电池电压充满电时,其电压会达到14.7V左右,这时Dl和Ql导通,Q2截止,继电器Jl触点自动断开,充电结束。
充电结束后,蓄电池经负载放电其电压会随着时间的推移逐渐降低,合理选择VR1的阻值,即使当蓄电池电压降低到12V,这时D1截止,但由于R2的存在,Q1继续保持饱和导通状态,直到蓄电池电压继续降低到经R2流向Ql的电流不足以支持Ql导通,Ql会马上截止,这时Q2饱和导通,继电器Jl吸合,市电经变压器T降压并经全桥整流后对蓄电池再次充电。
稳压管Dl选定为13.5V~14V左右,加上Rl两端的电压和01的BE结电压正好14.4V~14.7V左右,作为充电监测的关断电压,如果没有合适的稳压管可以用两只稳压管串联代替。VR1为充电开启电压调整电位器,通过调整VR1使其充电开启电压为11V附近即可。
元件选择:Ql为C1815,β≥100Q2为s8050,B≥100。
#p#
#e#
介绍一款间歇式电子灭蜂器,它能按一定规律司歇地产生脉冲高压,将爬到高压电极网上的障娜击毙。该电子灭蜂器稍加改动也可用于灭蚊、蝇或灭鼠。
电路工作原理
该电子灭蝉器电路由方波振荡器和高压发生器电路组成,如图所示。
方波振荡器由计数分频器集成电路lC和电阻器R5、R6、电容器Cl和电位器RP组成。
高压发生器由晶体管VI、V2、继电器K、电阻器Rl-R4、发光二极管VL、升压变压器T、电容器C2、C3和二极管VDl、VD2组成。
方波振荡器振荡工作后,从IC的14脚(Q8端)输出方波脉冲信号。当方波脉冲信号为正脉冲时,Vl导通,K吸合,VL发光,由V2和T、R3、R4组成的脉冲振荡器电路振荡工作,在T的二次绕组两端产生的脉冲电压经C2、C3和VDl、VD2组成的倍压整流电路升压后,在高压电极A、B两端产生儿百伏的电压(爬到电极上的蝇蜘将被此高压击毙)。当方波脉冲信号为负脉冲时,Vl截止,K释放,脉冲振荡电路停振,高压电极A、B两端的电压消失,VL熄灭。
使用时,将高压电极网置于蜂娜经常出没的地方,网上放一块塑料片,塑料片上放一些诱饵,再接通电源即可。
调整RP的阻值,可以改变IC内部振荡器的频率,从而调节Vl导通与截止的时司。
元器件选择
Rl-R6选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP选用有机实心可变电阻器。
Cl选用独石电容器;C2选用耐压值为400V的CBB电容器或涤纶电容器;C3选用耐压值为63CV的CBB无感电容器。
VDl和VD2均选用1N4007型硅整流二极管。
VL选用φ3mm的红色发光二极管。
Vl选用C8050或S8050型硅NPN晶体管;V2选用3CGl70C或2N5551、2N5415等型号的硅PNP晶体管。
IC选用CD4060或MCl4060型14级二进制计数分频器集成电路。
K选用4098系列的6V直流继电器。
电极网A、B可用两根们mm的裸铜线在绝缘板上布线而成,也可用敷铜板制作。
T用小型变压器铁心绕制。一次绕组用φO.2lmm的高强度漆包线绕制,Wl绕组绕15匝,WZ绕组绕80匝;二次绕组(W3绕组)用φ0.08mm的漆包线绕1800-2000匝。
介绍的吊灯控制开关为二线控制式,控制电路安装在吊灯的装饰罩内,通过吊灯的电源开关即可控制吊灯两种不同的工作状态。
电路工作原理
该吊灯控制开关电路由电源电路和触发控制电路组成,如图所示。
电源电路由原吊灯的电源开关S、整流二极管VDl。VD4、限流电阻器R4、放电电阻器R1、滤波电容器Cl和稳压二极管VS组成。
触发控制电路由非门集成电路IC(Dl-D4)、二极管VDl-VD4、电阻器R2-R8、电容器C2、C3、晶体管V和晶闸管VT等组成。
接通S后,交流220V电压将第3组照明灯EL3点亮,同时还经VDl-VD4整流、R4限流降压、Cl滤波及VS稳压后,产生+l2V电压。+l2V电压除作为IC的工作电源外,还经R2和VD5对C2充电。在+l2V电压刚产生时,C2两端电压不能突变,Dl的输入端为低电平,其输出端的高电平经VD7对C3充电,使D2和D3的输出端为低电平,V和VT不导通,第1组照明灯ELl和第2组照明灯EL2不亮。
将S关闭后再立即接通时,在断电的短暂时间内,Cl上储存的电荷经Rl快速泄放掉,但C2上所储存能的电荷仍保持不变,再次通电后,+l2V电压经R2和VD5对C3充电,使C3的充电极性改变 (由左负右正改变为左正右负),D2和D3的输入端由高电平变为低电平,输出端变为高电平,使V导通,其发射极输出的高电平又使VT受触发而导通,ELl-EL3全部点亮。
元器件选择
Rl和R4均选用1/2W金属膜电阻器;R2、R3和R5-R8均选用1/4W金属膜电阻器。
Cl选用耐压值为25V的铝电解电容器;C2选用耐压值大于16V的铝电解电容器;C3选用涤纶电容器或独石电容器。
VDl-VD4均选用lN5408型硅整流二极管;VD5-VD8均选用LN4148型硅开关二极管。
VS选用1N4742型 (lW、l2V)的硅稳压二极管。
V选用C8050或S8050、3DGl80N等型号的硅NPN晶体管。
VT选用反向击穿电压为400V以上的晶闸管,其电流容量应根据ELl和EL2的总功率而定。
IC选用CD4069型六非门集成电路 (使用其内部的四个非门),也可用CD4011型四与非门集成电路代替,使用时将四个与非门接成非门电路使用。
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