掺杂C₆₀/TaTm分子复合结实现22%效率钙钛矿/硅叠层电池:机理与性能研究

描述

钙钛矿/硅串联电池是突破硅单结效率极限(29.5%)的理想方案,但工业硅片表面粗糙性导致的漏电问题亟待解决。本研究提出一种新型复合结设计,利用n掺杂C₆₀与p掺杂TaTm的有机异质结,通过低横向导电性阻断漏电,并结合Suns-VOC选择性光照与美能QE量子效率测试仪的外量子效率(EQE)分析,系统验证其在抑制漏电与提升效率中的关键作用。

实验方法

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  • 串联电池结构设计 
测试仪

串联堆叠结构

 

双端串联电池采用倒置发射极结构的硅异质结(SHJ)底电池(n型CZ硅片)与p-i-n型钙钛矿顶电池串联。复合结设计包括三种方案:

  • 传统ITO-RJ:20 nm ITO层沉积于非晶硅(a-Si:H(n)层上;
  • 超薄ITO-RJ:5 nm ITO层;
  • 有机n-n-p-RJ:n掺杂C60层(通过PhIm共蒸发实现n型掺杂)与p掺杂TaTm层(F6-TCNNQ氧化掺杂)结合。
  • 材料制备与表征 

钙钛矿层:采用三源共蒸发法制备Cs0.2FA0.8Pb(I0.8Br0.2)3(带隙1.66 eV),通过XRD和吸收光谱验证晶体质量。电荷传输层:空穴传输层(HTL)为TaTm/F6-TCNNQ复合结构,电子传输层(ETL)为C60/SnO2双层。电学测试:利用LED光源太阳模拟器测量J-V曲线,霍尔效应测试验证C60的n型特性。

测试仪

SEM图像

 

形貌分析:SEM图像显示钙钛矿层对硅金字塔结构的共形覆盖,局部未覆盖区域导致传统ITO-RJ器件完全短路。

电性能分析 

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测试仪

J-V特性曲线电性能参数

测试仪
  • 传统ITO-RJ器件(20 nm):J-V曲线呈现单结硅电池特性(JSC≈18 mA/cm²,VOC≈0.7 V),表明钙钛矿顶电池完全短路。
  • 超薄ITO-RJ器件(5 nm):VOC提升至1.65 V,但填充因子(FF)仅55%,仍存在显著漏电流。
  • 有机n-n-p-RJ器件:VOC达1.84 V,FF提升至70%,PCE突破22%。有机层的低横向导电性有效隔离局部短路路径,暗态J-V曲线显示其具有更高的并联电阻。

EQE分析

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测试仪

(a) 外量子效率(EQE)测试;(b) EQE异常现象的机制解释

 

外量子效率(EQE)测试采用卤素光源结合光偏置技术,通过波长选择性滤光片(550 nm短通与850 nm长通)分别饱和底电池与顶电池的光电流。测试中,通过电压偏置(约0.6 V或1.0 V)确保被测子电池处于短路状态,避免反向偏压导致的电流损失。

  • 5 nm ITO-RJ器件:钙钛矿顶电池在红外区(>760 nm)出现显著寄生响应,其积分电流中约2.13 mA/cm²源自底电池电流通过顶电池漏电路径。该现象表明顶电池并联电阻(Rsh)过低,导致子电池间电流耦合。
  • 有机n-n-p-RJ器件:红外区寄生响应完全消除,EQE曲线在可见光区(300–780 nm)积分电流达16.90 mA/cm²,经栅线阴影校正后(校正因子0.89)与J-V结果(17.8 mA/cm²)高度吻合。

ITO-RJ的高横向导电性(8×10-3 S/cm)使局部短路路径形成连续导电网络,导致底电池光生电流通过顶电池漏电。而有机RJ的横向导电性(~10-4 S/cm)显著抑制漏电路径的连通性,阻断电流耦合,从而提升顶电池的独立工作性能。ITO复合结存在寄生响应,有机复合结无分流。

选择性光照分析-VOC量化

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测试仪选择性光照下的Suns-VOC曲线通过450 nm蓝光激光(激发顶电池)与910 nm红外激光(激发底电池)选择性照明,测量器件开路电压(VOC)随光强的变化规律。理想情况下,VOC与光强呈对数关系,而线性响应则表明存在显著漏电。

  • 5 nm ITO-RJ器件:顶电池VOC随光强线性增加,表明漏电流主导电荷输运。底电池VOC在1 sun等效光强下仅0.61 V,低于原始硅片隐含VOC(0.744 V),归因于切割损伤与钙钛矿滤光效应。
  • 有机n-n-p-RJ器件:顶电池VOC呈现对数型光强依赖,符合理想二极管特性,且底电池VOC贡献量(0.62 V)与串联器件总VOC(1.84 V)匹配,验证了复合结的电荷高效复合能力,有机复合结使钙钛矿子电池符合理想二极管行为。

研究结果表明,这种由n型掺杂的C60层和p型掺杂的芳胺层(TaTm)组成的全有机重组结,能够显著减轻顶电池中的分流效应,从而提高电池的开路电压(VOC)和填充因子(FF),最终实现了超过22%的转换效率。此外,通过外部量子效率(EQE)测量和选择性照明的Suns-VOC测量,我们进一步证实了全有机重组结在提高电池性能方面的优势。

美能QE量子效率测试仪

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测试仪

 

美能QE量子效率测试仪可以用来测量太阳能电池的光谱响应,并通过其量子效率来诊断太阳能电池存在的光谱响应偏低区域问题。它具有普遍的兼容性、广阔的光谱测量范围、测试的准确性和可追溯性等优势。

兼容所有太阳能电池类型,满足多种测试需求

光谱范围可达300-2500nm,并提供特殊化定制

氙灯+卤素灯双光源结构,保证光源稳定性


 

进一步优化电荷传输层掺杂工艺与界面工程,有望实现更高效率的工业化双端串联电池。美能QE量子效率测试仪凭借其高精度光谱响应测量与双光源稳定性,为EQE分析与漏电路径诊断提供了可靠技术支撑,助力多结太阳能电池的缺陷定位与性能优化。

原文参考:Molecular Recombination Junction for Vacuum-Deposited Perovskite/Silicon TwoTerminal Tandem Solar Cells

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