SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块：高效能、超快开关与卓越热管理

近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200V SOT-227 MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电以及高效服务器电源等高性能电力电子应用。

 

SemiQ此次发布的SiC MOSFET模块采用优化的芯片设计，相比前代产品，芯片尺寸更小，但性能显著提升。新模块的导通电阻(RDS(on))覆盖8.4mΩ至80mΩ，其中GCMX040C120S1-E1模块的开关时间仅为67纳秒，大幅降低了开关损耗，提升了系统整体效率。

 

 

目前，该系列包含六款核心产品：GCMS008C120S1-E1、GCMX008C120S1-E1、GCMS016C120S1-E1、GCMX016C120S1-E1、GCMS040C120S1-E1和GCMX040C120S1-E1。此外，SemiQ还推出了两款80mΩ导通电阻的模块(GCMS080C120S1-E1和GCMX080C120S1-E1)，进一步扩展了产品组合，以满足不同功率等级的应用需求。

 

该系列模块集成了肖特基势垒二极管(SBD)，即使在高温环境下也能保持优异的开关损耗性能。通过优化设计，模块的导通能量损耗极低，适用于高功率密度应用。

 

为确保产品在严苛环境下的可靠性，SemiQ对所有模块进行了严格的晶圆级栅极氧化物老化筛选，并进行了超过1400V的电压测试。此外，模块的雪崩鲁棒性表现优异，部分型号的雪崩能量耐受能力高达800mJ(RDS(on)=8.4mΩ或16.5mΩ时)。

 

新模块采用高热性能封装设计，结壳热阻低至0.23°C/W(RDS(on)=8.4mΩ)，并配备隔离背板，可直接安装散热器，确保高效散热。模块还通过了4kVAC电气隔离测试，满足工业级应用的安全要求。

 

QSiC 1200V MOSFET系列支持-55°C至175°C的宽温度范围，栅源工作电压为-4.5V至+18V(最大±22V)，功耗能力根据型号不同可达183W至536W。在电气性能方面，模块的零栅压漏电流仅100nA，栅源漏电流低至10nA，开关速度最快的型号可实现13ns的开启延迟和7ns的上升时间，非常适合高频高效应用。

 

凭借超快开关速度、低损耗和高热管理能力，SemiQ的新一代SiC MOSFET模块有望在新能源、电动汽车充电、数据中心电源等领域发挥重要作用，助力电力电子系统实现更高能效和更紧凑的设计。