TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器 专为空间受限的低输入电压、低成本、低噪声系统而设计 考虑。
TPS51200-EP 保持快速瞬态响应,并且只需要最小输出 电容为 20 μF。TPS51200-EP 支持遥感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端。
*附件:tps51200-ep.pdf
此外,TPS51200-EP 提供漏极开路 PGOOD 信号来监控输出 调节和一个 EN 信号,可用于在 DDR 的 S3(挂起到 RAM)期间对 VTT 放电 应用。
TPS51200-EP 采用热效率高的 10 引脚 VSON 导热垫封装, 并且被评为绿色和无铅。其额定温度范围为 –55°C 至 +125°C。
特性
- 输入电压:支持 2.5V 轨和 3.3V 轨
- VLDOIN 电压范围:1.1 V 至 3.5 V
- 灌电流和拉电流端接稳压器包括
压降补偿 - 对于存储器
终端应用 (DDR),需要的最小输出电容为 20μF
(通常为 3 × 10μF MLCC) - PGOOD 监控输出调节
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪
- 遥感 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR 和 DDR2 JEDEC 规范
- 支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4
VTT 应用 - 带导热垫的 10 引脚 VSON 封装
- 支持国防、航空航天和医疗
应用- 受控基线
- 一个装配和测试站点
- 一个制造工地
- 适用于军用 (–55°C 至 125°C)
温度范围 - 延长产品生命周期
- 延长产品变更通知
- 产品可追溯性
参数

方框图

1. 产品概述
- 产品名称:TPS51200-EP
- 类型:DDR(双数据率)终止调节器
- 特点:支持低输入电压、低成本、低噪声系统,适用于DDR、DDR2、DDR3、低功耗DDR3及DDR4 VTT总线终止。
2. 主要特性
- 输入电压:支持2.5V和3.3V电源轨
- VLDOIN电压范围:1.1V至3.5V
- 输出电容要求:最小20μF(典型为3×10μF MLCCs)
- PGOOD信号:用于监控输出调节
- EN输入:使能信号,用于控制设备开关
- REFIN输入:允许灵活输入跟踪,可直接或通过电阻分压器
- 远程感应(VOSNS) :支持远程电压感应
- ±10mA缓冲参考(REFOUT)
- 内置功能:软启动、欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCL)、热关断
3. 应用领域
- 内存终止调节器,适用于DDR、DDR2、DDR3、低功耗DDR3及DDR4应用
- 笔记本电脑、台式机、服务器
- 电信和数据通信
- 基站
- LCD-TV和PDP-TV
- 复印机和打印机
- 机顶盒
4. 封装与尺寸
- 封装类型:10引脚VSON封装,带裸露热焊盘
- 尺寸:3.00mm × 3.00mm
5. 电气特性
- 工作结温范围:-55°C至+150°C
- 存储温度范围:-55°C至+150°C
- 静态电流:典型值为0.71mA(无负载)
- 关断电流:典型值为65μA(无负载)
- 输出电压容差:±15mV(根据REFOUT电压不同)
- PGOOD阈值:相对于REFOUT的±20%窗口
6. 热特性
- 提供了多种热阻参数,包括结到环境(θJA)、结到壳(顶)(θJC(顶))、结到板(θJB)等。
7. 功能框图与详细描述
- 提供了功能框图,展示了设备的主要组成部分和信号流。
- 详细描述了设备的各个功能模块,包括输入电压监控、输出电压调节、软启动、UVLO、OCL和热关断等。
8. 应用与实现
- 提供了典型VTT DIMM应用电路图。
- 讨论了系统示例,包括如何连接和配置设备以满足特定应用需求。
9. 布局指南
- 提供了布局布线指南,以确保设备的最佳性能和可靠性。
- 强调了关键信号(如REFIN、EN、VOSNS等)的布局要求。
10. 设备与文档支持
- 提供了设备支持信息,包括如何获取技术支持和文档更新通知。
- 提供了相关的社区资源链接,方便用户获取更多帮助和信息。
TPS51200-EP是一款专为DDR、DDR2、DDR3、低功耗DDR3及DDR4应用设计的终止调节器,具有低输入电压、低成本、低噪声等特点,适用于各种需要高效、可靠电源管理的系统。