TPS51216-EP 增强型产品 完整的 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存电源解决方案 同步降压控制器数据手册

TPS51216-EP 以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存系统提供完整的电源。它将同步降压稳压控制器 （VDDQ） 与 2A 灌/拉跟踪 LDO （VTT） 和缓冲低噪声参考 （VTTREF） 集成在一起。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300 kHz/400 kHz 频率耦合，易于使用且瞬态响应快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟踪 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌电流/拉电流峰值能力，只需要 10μF 的陶瓷电容。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。
*附件：tps51216-ep.pdf

TPS51216-EP 提供丰富的有用功能以及出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在 S3 中将 VTT 置于高阻态，并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关断）放电。

特性

• 同步降压控制器 （VDDQ）
  • 转换电压范围：3 至 28 V
  • 输出电压范围：0.7 至 1.8 V
  • 0.8% 电压裁判准确性
  • D-CAP™ 模式，用于快速瞬态响应
  • 可选 300kHz/400kHz 开关频率
  • 通过自动跳过功能优化轻负载和重负载的效率
  • 支持 S4/S5 状态下的软关闭
  • OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
  • Powergood 输出
• 2A LDO （VTT），缓冲基准 （VTTREF）
  • 2A（峰值）灌电流和拉电流
  • 仅需 10μF 的陶瓷输出电容
  • 缓冲、低噪声、10mA VTTREF 输出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持高阻态，在 S4/S5 中支持软关闭
• 热关断
• 20 引脚、3 mm × 3 mm、WQFN 封装
• 支持国防、航空航天和医疗应用
  • 受控基线
  • 一个装配/测试站点
  • 一个制造现场
  • 适用于军用（–55°C 至 125°C）温度范围^(1)^
  • 延长产品生命周期
  • 延长了产品变更通知
  • 产品可追溯性

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：TPS51216-EP
• ‌类型‌：同步降压控制器（VDDQ）与2A LDO（VTT），集成缓冲参考（VTTREF）
• ‌应用‌：DDR2、DDR3、DDR3L内存电源解决方案

2. 主要特性

• ‌ 同步降压控制器（VDDQ） ‌
  • 转换电压范围：3至28V
  • 输出电压范围：0.7至1.8V
  • 0.8% VREF准确性
  • D-CAP™模式，快速瞬态响应
  • 可选300kHz/400kHz开关频率
  • 轻载和重载下的优化效率，具有自动跳过功能
• ‌ 2A LDO（VTT） ‌
  • 2A（峰值）汇流和源电流
  • 仅需10μF陶瓷输出电容
  • 缓冲、低噪声、10mA VTTREF输出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT准确性
• ‌其他特性‌
  • 支持S3状态下的高阻态（VTT）和S4/S5状态下的软关闭（VDDQ、VTT、VTTREF）
  • 过流限制（OCL）、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、欠压锁定（UVLO）
  • 热关断保护
  • 20引脚，3mm × 3mm WQFN封装
  • 支持国防、航空和医疗应用

3. 应用领域

• DDR2/DDR3/DDR3L内存电源供应
• SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135, 和HSTL终止

4. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：20引脚，3mm × 3mm WQFN

5. 电气特性

• ‌VDDQ SMPS‌
  • 软启动时间：内部软启动时间，CVREF = 0.1μF时约为1.1ms
  • PGOOD阈值：VDDQ PGOOD阈值为±8%（典型值）
  • 过流保护：可编程OCL，具有低侧MOSFET RDS(on)感测
• ‌VTT LDO‌
  • 输出电压范围：0.7至1.8V（跟踪VDDQ/2）
  • 负载调节：±20mV（最大）
  • 线性调节：±1%
  • 峰值源/汇电流：2A
• ‌VTTREF‌
  • 输出电压：VDDQSNS/2，准确性±1%
  • 源/汇电流限制：±10mA（典型值）

6. 功能框图与详细描述

• 提供了功能框图，展示了设备的主要组成部分和信号流。
• 详细描述了设备的功能特性，包括VDDQ SMPS控制、VREF和REFIN、软启动和Powergood、电源状态控制、放电控制、VTT过流保护、V5IN欠压锁定保护、热关断保护等。

7. 应用与实现

• 提供了典型应用电路图，包括DDR3、400kHz应用电路。
• 讨论了设计要求和详细设计过程，包括外部组件选择、电感选择、输出电容选择等。
• 提供了应用曲线，展示了输出纹波、负载瞬态响应、启动波形等。

8. 布局指南

• 提供了布局布线指南，以确保设备的最佳性能和可靠性。
• 强调了关键信号和组件的布局要求，包括输入电容、输出电容、MOSFET、反馈路径等。

9. 设备与文档支持

• 提供了设备支持信息，包括如何获取技术支持和文档更新通知。
• 提供了相关的社区资源链接和商标信息。

10. 机械、封装和可订购信息

• 提供了设备的机械尺寸、封装类型和可订购信息。

TPS51216-EP是一款高度集成的电源管理解决方案，专为DDR2、DDR3、DDR3L内存系统设计，提供了同步降压控制器、LDO和缓冲参考输出，具有多种保护功能和高效能特点。