TPS65911 集成电源管理 IC （PMIC），具有 4 个 DC/DC、9 个 LDO 和 RTC数据手册

TPS65911 器件是一款集成电源管理 IC （PMIC），采用 98 引脚 0.65mm 间距 BGA 封装。TPS65911 器件专用于由一节锂离子或锂离子聚合物电池、3 节串联镍氢电池或 5V 输入供电的应用，以及需要多个电源轨的应用。该器件提供 3 个降压转换器、1 个用于支持大电流轨的外部 FET 控制器、8 个 LDO，并且该器件设计为灵活的 PMIC，可支持不同的处理器和应用。
*附件：tps65911.pdf

其中两个降压转换器为双处理器内核供电，并支持通过专用 I 进行动态电压调节^2^C 接口可实现最佳节能。第三个转换器为系统中的 I/O 和内存供电。

该器件包括 8 个通用 LDO 稳压器，可提供广泛的电压和电流能力。其中 5 个 LDO 稳压器支持 1 至 3.3 V（100 mV 步长），3 个（LDO1、LDO2、LDO4）支持 1.0 至 3.3 V（50 mV 步长）。所有 LDO 稳压器均可由 I 完全控制^2^C 接口。

除了电源资源外，该器件还包含一个 EPC 来管理系统的电源排序要求和一个 RTC。电源排序可通过 EEPROM 进行编程。

特性

• 具有 EEPROM 可编程性的嵌入式电源控制器 （EPC）
• 两个用于处理器内核的高效降压 DC-DC 转换器（VDD1、VDD2）
• 一个用于 I/O 电源 （VIO） 的高效降压 DC-DC 转换器
• 一个用于外部 FET 的控制器 （VDDCtrl）
• 处理器内核的动态电压调节 （DVS）
• 8 个 LDO 稳压器和 1 个 RTC LDO（内部 RTC 电源）
• 1 个高速 I^2^通用控制命令的 C 接口 （CTL-I^2^C)
• 两个独立的使能信号，用于控制电源 （EN1， EN2）
  • 或者，EN1 和 EN2 引脚可用作高速 I^2^C 接口，专用于 VDD1 和 VDD2 的电压调节
• 热关断保护和热晶片检测
• 实时时钟 （RTC） 资源，具有以下功能：
  • 用于 32.768kHz 晶体或 32kHz 内置 RC 振荡器的振荡器
  • 日期、时间和日历
  • 警报功能
• 9 个可配置的 GPIO，支持多路复用功能：
  • 4 个可用作外部资源的使能，包含在上电序列中并由状态机控制
  • 作为 GPI，GPIO 支持逻辑电平检测，并可以生成可屏蔽的中断以进行唤醒
  • 其中两个 GPIO 具有 10mA 电流吸收能力，用于驱动 LED
  • DC-DC 转换器通过外部 3MHz 时钟实现开关同步
• 两个复位输入：
  • 冷重置 （HDRST）
  • 用于热复位输入的电源初始化复位 （PWRDN）
• 用于系统的 32kHz 时钟和复位 （NRESPWRON） 以及用于复位信号的附加输出
• 看门 狗
• 两个 ON 和 OFF LED 脉冲发生器和一个 PWM 发生器
• 两个用于系统控制的比较器，连接到 VCCS 引脚
• A JTAG 和边界扫描

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌设备名称‌：TPS65911
• ‌类型‌：集成电源管理单元（PMIC）
• ‌主要特性‌：
  • 嵌入式电源控制器（EPC）带EEPROM可编程性
  • 三个高效的降压DC-DC转换器（VDD1, VDD2, VIO）
  • 一个用于外部FETs的控制器（VDDCtrl）
  • 动态电压缩放（DVS）
  • 八个LDO电压调节器
  • 一个实时时钟（RTC）资源
  • 九个可配置的GPIO
  • 热关断保护和热检测

2. 应用

• ‌便携式和手持系统‌
• ‌需要多个电源轨的应用‌

3. 功能描述

• ‌ 嵌入式电源控制器（EPC） ‌：管理系统的电源排序需求，可编程通过EEPROM。
• ‌DC-DC转换器‌：
  • VDD1和VDD2为处理器核心供电，支持动态电压缩放。
  • VIO为I/O和内存供电。
• ‌LDO调节器‌：提供广泛的电压和电流能力，支持通过I²C接口控制。
• ‌RTC资源‌：包括振荡器、日期、时间和日历、闹钟功能。
• ‌GPIO‌：支持逻辑电平检测，可生成可屏蔽中断用于唤醒。
• ‌同步与外部时钟‌：DC-DC转换器可以通过外部3MHz时钟同步。

4. 规格

• ‌输入电压范围‌：2.7V至5.5V
• ‌输出电压范围‌：
  • VDD1和VDD2：0.6V至3.3V
  • VIO：1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V
  • LDO：1V至3.3V
• ‌最大输出电流‌：
  • VDD1和VDD2：高达1500mA（某些配置下2000mA）
  • VIO：高达1100mA
  • LDO：高达320mA（LDO1和LDO2），其他LDO高达300mA

5. 应用信息和典型应用

• ‌设计要求‌：包括输入电压、输出电压和电流等参数。
• ‌详细设计过程‌：推荐外部组件的选择，如电感器、电容器和FETs。
• ‌应用曲线‌：展示负载瞬态响应等关键性能。

6. 布局指南

• ‌PCB布局建议‌：包括输入电容器、电感器和输出电容器的放置，以及地平面的使用。
• ‌布局示例‌：提供VDD2、VDDIO和VDDCtrl的布局示例。

7. 设备支持

• ‌开发支持‌：提供相关的参考设计文档。
• ‌文档支持‌：包括数据手册、用户指南和应用报告。
• ‌社区资源‌：提供TI E2E在线社区和设计支持的链接。

8. 包装和可订购信息

• ‌封装类型‌：98引脚0.65mm间距BGA
• ‌封装尺寸‌：9.00mm × 6.00mm
• ‌可订购状态‌：活跃