TPS51206 2A 峰值灌电流 / 拉电流 DDR 终端稳压器，带有 VTTREF 缓冲基准数据手册

TPS51206 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 （DDR） 终端稳压器，具有 VTTREF 缓冲基准输出。它专为空间是关键考虑因素的低输入电压、低成本、低外部元件数系统而设计。该器件可保持快速瞬态响应，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷输出电容。该器件支持远程感应功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 电流能力为 ±2A 峰值。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM），并在 S4 或 S5 状态下将 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。
*附件：tps51206.pdf

TPS51206 器件采用 10 引脚、2 mm × 2 mm SON （DSQ） PowerPAD™ 封装，额定温度范围为 –40°C 至 105°C。

特性

• 电源输入电压：支持 3.3V 轨和 5V 轨
• VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4 V 至 3.5 V
• VTT 终端稳压器
  • 输出电压范围：0.5 V 至 0.9 V
  • 2A 峰值灌电流和拉电流
  • 仅需 10μF MLCC 输出电容器
  • ±20 mV 精度
• VTTREF 缓冲参考
  • VDDQ/2 ± 1% 精度
  • 10mA 灌电流和拉电流
• 通过 S3 和 S5 输入支持 S3 中的高阻态和 S4 和 S5 中的软停止
• 过热保护
• 10 引脚、2 mm × 2 mm SON （DSQ） 封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：TPS51206
• ‌类型‌：DDR终止调节器
• ‌功能‌：提供VTT和VTTREF输出，支持DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存电源供应

2. 主要特性

• ‌输入电压范围‌：支持3.3V和5V供电
• ‌输出特性‌：
  • VTT输出：0.5V至0.9V，±2A峰值源/汇电流
  • VTTREF输出：VDDQ/2 ±1%准确度，10mA源/汇电流
• ‌快速瞬态响应‌：仅需10μF陶瓷输出电容
• ‌远程感应功能‌：通过VTTSNS引脚实现
• ‌高阻抗状态‌：S3状态下VTT输出置为高阻态
• ‌软停止功能‌：S4和S5状态下放电VTT和VTTREF至GND
• ‌过热保护‌：超过150°C时自动关闭

3. 应用

• ‌主要应用‌：
  • DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存电源供应
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL终止
  • 电信和数据通信、GSM基站、液晶电视、等离子电视、复印机、打印机、机顶盒

4. 功能描述

• ‌VTT源/汇调节器‌：集成高性能、低压差（LDO）线性调节器，快速响应跟踪½VDDQSNS
• ‌VTTREF‌：提供VDDQ/2的缓冲参考输出，具有±1%准确度
• ‌VDD欠压锁定保护‌：当VDD电压低于阈值时，关闭VTT和VTTREF
• ‌VTT电流限制‌：超过2A时限制电流，VTT电压失调
• ‌过热保护‌：内部温度监测，超过阈值时关闭VTT和VTTREF

5. 电气特性

• ‌工作结温范围‌：-40°C至105°C
• ‌VDD供电电流‌：S0状态下典型值为170μA，S3状态下典型值为80μA
• ‌VLDOIN供电电流‌：S0状态下典型值为5μA，S3状态下典型值为5μA
• ‌VTTREF输出电压‌：VDDQSNS/2，容差±1%
• ‌VTT输出电压‌：VDDQSNS/2，容差±20mV至±40mV（根据负载电流）

6. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：10引脚、2mm x 2mm SON（DSQ）PowerPAD封装
• ‌温度范围‌：商业级（-40°C至105°C）

7. 布局与电源建议

• ‌布局指南‌：
  • 输入旁路电容应尽可能靠近VDD引脚
  • VTT输出电容应靠近VTT和PGND引脚
  • VTTSNS引脚应连接到VTT输出电容的正极，作为独立的高电流路径
• ‌电源建议‌：推荐使用X5R或更好等级的陶瓷电容

8. 社区资源与支持

• 提供TI社区资源链接，包括E2E在线社区和设计支持工具

9. 注意事项

• 使用前请仔细阅读数据手册，确保产品符合应用需求
• 遵循推荐的布局和电源建议，以确保最佳性能
• 注意静电放电（ESD）防护，避免损坏集成电路