LP2998 线性稳压器旨在满足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 标准 DDR-SDRAM 和 DDR2 内存终止的规范。该器件还支持 DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接,带 VDDQ分钟 的 1.35 V。该器件包含一个高速运算放大器,可提供出色的响应 负载瞬变。输出级可防止击穿,同时提供 1.5 A 连续电流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的应用中高达 3 A 的瞬态峰值。LP2998 系列 还集成了 VSENSE 引脚,以提供出色的负载调节和 V裁判输出作为芯片组和 DIMM 的参考。
*附件:lp2998.pdf
LP2998 的另一个功能是低电平有效关断 (SD) 引脚,提供 Suspend To RAM (STR) 功能。当 SD 被拉低时,VTToutput 将三态 提供高阻抗输出,但是,V裁判将保持活动状态。一 在此模式下,可以通过较低的静态电流获得 SAVINGS ADVANTAGE。
特性
- AEC-Q100 测试指南,结果如下(SO PowerPAD-8):
- 器件 HBM ESD 分类等级 H1C
- 结温范围 –40°C 至 125°C
- 1.35 V 最小 V
DDQ - 拉电流和吸收电流
- 低输出电压偏移
- 无需外部电阻器
- 线性拓扑
- 挂起到 RAM (STR) 功能
- 外部元件数量少
- 热关断
参数

方框图

一、概述
LP2998是一款线性调节器,专为满足JEDEC SSTL-2和SSTL-18规范而设计,用于DDR-SDRAM和DDR2内存的终止。该器件还支持DDR3和DDR3L VTT总线终止,并包含高速运算放大器以提供优异的负载瞬态响应。
二、主要特性
- AEC-Q100测试认证:适用于汽车应用
- 最低VDDQ电压:1.35V
- 输出电流能力:连续1.5A,瞬态峰值可达3A
- 无需外部电阻:简化设计
- VSENSE引脚:提供卓越的负载调节
- VREF输出:作为芯片组和DIMM的参考电压
- 挂起至RAM(STR)功能:通过SD引脚实现低功耗模式
- 热关断保护:防止过热损坏
三、引脚功能与配置
- GND:地
- SD:关断引脚,低电平有效
- VSENSE:反馈引脚,用于调节VTT
- VREF:缓冲内部参考电压输出
- AVIN:模拟输入电源引脚
- PVIN:电源输入引脚,用于输出级
- VTT:输出电压,用于连接终止电阻
- EP(Exposed Pad):热连接,应接地
四、电气特性
- VTT输出电压:根据VDDQ和输出电流的不同,在1.125V至1.390V之间
- 静态电流:典型值为500µA
- 关断电流:SD引脚拉低时,典型值为150µA
- 热关断温度:165°C
五、应用
- DDR1、DDR2、DDR3及DDR3L终止
- 汽车信息娱乐系统
- FPGA设备供电
- 工业/医疗设备
六、封装信息
- SO PowerPAD-8:4.89mm x 3.90mm
- SOIC-8:4.90mm x 3.91mm
- SO PowerPAD-8(Q1版本) :4.89mm x 3.90mm
七、布局与布线指南
- 输入电容:推荐在PVIN引脚附近放置电容,以改善大负载瞬态下的性能
- VSENSE引脚连接:应连接到VTT终止总线的中点,以提供更佳的负载分布
- VREF旁路电容:推荐在VREF引脚附近放置0.1µF至0.01µF的陶瓷电容,以减少噪声
- 热管理:通过多层布线和热过孔优化散热
八、注意事项
- ESD保护:器件具有有限的内置ESD保护,存储或处理时需采取适当的静电防护措施
- 电源排序:PVIN电压应等于或低于AVIN电压
- 热关断:若结温超过热关断阈值,器件将进入关断状态,直至温度降至阈值以下
九、文档与支持
- 提供相关的技术文档、社区资源、工具和软件支持
- 可通过TI的官方渠道获取样品和购买产品
以上是LP2998 DDR终止调节器的总结,涵盖了其主要特性、引脚功能、电气特性、应用、封装信息、布局布线指南、注意事项以及文档与支持信息。