LP2998系列 带关断引脚的 1.5A DDR 终端稳压器数据手册

描述

LP2998 线性稳压器旨在满足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 标准 DDR-SDRAM 和 DDR2 内存终止的规范。该器件还支持 DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接,带 VDDQ分钟 的 1.35 V。该器件包含一个高速运算放大器,可提供出色的响应 负载瞬变。输出级可防止击穿,同时提供 1.5 A 连续电流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的应用中高达 3 A 的瞬态峰值。LP2998 系列 还集成了 VSENSE 引脚,以提供出色的负载调节和 V裁判输出作为芯片组和 DIMM 的参考。
*附件:lp2998.pdf

LP2998 的另一个功能是低电平有效关断 (SD) 引脚,提供 Suspend To RAM (STR) 功能。当 SD 被拉低时,VTToutput 将三态 提供高阻抗输出,但是,V裁判将保持活动状态。一 在此模式下,可以通过较低的静态电流获得 SAVINGS ADVANTAGE。

特性

  • AEC-Q100 测试指南,结果如下(SO PowerPAD-8):
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H1C
    • 结温范围 –40°C 至 125°C
  • 1.35 V 最小 VDDQ
  • 拉电流和吸收电流
  • 低输出电压偏移
  • 无需外部电阻器
  • 线性拓扑
  • 挂起到 RAM (STR) 功能
  • 外部元件数量少
  • 热关断

参数
运算放大器

方框图

运算放大器

一、概述

LP2998是一款线性调节器,专为满足JEDEC SSTL-2和SSTL-18规范而设计,用于DDR-SDRAM和DDR2内存的终止。该器件还支持DDR3和DDR3L VTT总线终止,并包含高速运算放大器以提供优异的负载瞬态响应。

二、主要特性

  • AEC-Q100测试认证‌:适用于汽车应用
  • 最低VDDQ电压‌:1.35V
  • 输出电流能力‌:连续1.5A,瞬态峰值可达3A
  • 无需外部电阻‌:简化设计
  • VSENSE引脚‌:提供卓越的负载调节
  • VREF输出‌:作为芯片组和DIMM的参考电压
  • 挂起至RAM(STR)功能‌:通过SD引脚实现低功耗模式
  • 热关断保护‌:防止过热损坏

三、引脚功能与配置

  • GND‌:地
  • SD‌:关断引脚,低电平有效
  • VSENSE‌:反馈引脚,用于调节VTT
  • VREF‌:缓冲内部参考电压输出
  • AVIN‌:模拟输入电源引脚
  • PVIN‌:电源输入引脚,用于输出级
  • VTT‌:输出电压,用于连接终止电阻
  • EP‌(Exposed Pad):热连接,应接地

四、电气特性

  • VTT输出电压‌:根据VDDQ和输出电流的不同,在1.125V至1.390V之间
  • 静态电流‌:典型值为500µA
  • 关断电流‌:SD引脚拉低时,典型值为150µA
  • 热关断温度‌:165°C

五、应用

  • DDR1、DDR2、DDR3及DDR3L终止
  • 汽车信息娱乐系统
  • FPGA设备供电
  • 工业/医疗设备

六、封装信息

  • SO PowerPAD-8‌:4.89mm x 3.90mm
  • SOIC-8‌:4.90mm x 3.91mm
  • SO PowerPAD-8(Q1版本) ‌:4.89mm x 3.90mm

七、布局与布线指南

  • 输入电容‌:推荐在PVIN引脚附近放置电容,以改善大负载瞬态下的性能
  • VSENSE引脚连接‌:应连接到VTT终止总线的中点,以提供更佳的负载分布
  • VREF旁路电容‌:推荐在VREF引脚附近放置0.1µF至0.01µF的陶瓷电容,以减少噪声
  • 热管理‌:通过多层布线和热过孔优化散热

八、注意事项

  • ESD保护‌:器件具有有限的内置ESD保护,存储或处理时需采取适当的静电防护措施
  • 电源排序‌:PVIN电压应等于或低于AVIN电压
  • 热关断‌:若结温超过热关断阈值,器件将进入关断状态,直至温度降至阈值以下

九、文档与支持

  • 提供相关的技术文档、社区资源、工具和软件支持
  • 可通过TI的官方渠道获取样品和购买产品

以上是LP2998 DDR终止调节器的总结,涵盖了其主要特性、引脚功能、电气特性、应用、封装信息、布局布线指南、注意事项以及文档与支持信息。

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