LP2997系列 DDR-II 终端稳压器数据手册

描述

LP2997 线性稳压器旨在满足 JEDEC SSTL-18 规范 DDR-II 内存终止。该器件包含一个高速运算放大器,可提供 对负载瞬变的出色响应。输出级可防止在传输时击穿 根据 DDR-II 的要求,在应用中具有高达 900mA 的 500mA 连续电流和瞬态峰值 SDRAM 终止。LP2997 还集成了 V意义pin 提供 卓越的负载调整率和 V裁判output 作为芯片组的参考 和 DIMM 的 DIMM 中。
*附件:lp2997.pdf

LP2997 的另一个功能是低电平有效关断 (SD) 引脚,提供 Suspend To RAM (STR) 功能。当 SD 被拉低时,VTToutput 将三态 提供高阻抗输出,但是,V裁判将保持活动状态。一 在此模式下,可以通过较低的静态电流获得 SAVINGS ADVANTAGE。

特性

  • 拉电流和吸收电流
  • 低输出电压偏移
  • 无需外部电阻器
  • 线性拓扑
  • 挂起到 RAM (STR) 功能
  • 外部元件数量少
  • 热关断
  • 采用 SOIC-8、SO PowerPAD-8 封装

参数
内存

方框图
内存

一、概述

LP2997是一款线性电压调节器,专为DDR-II内存终止电压设计。该器件包含高速运算放大器,能够提供优异的负载瞬态响应,并具有低输出电压偏移、源电流和沉电流能力,满足JEDEC SSTL-18规范。

二、主要特性

  • 源电流和沉电流‌:支持高达±500mA的连续电流,瞬态峰值可达±900mA。
  • 低输出电压偏移‌:输出电压偏移在±25mV以内。
  • 内部参考电压‌:提供0.9V的参考电压输出。
  • 热关机保护‌:防止器件因过热而损坏。
  • 关断功能‌:通过SD引脚实现关断功能,关断时V TT输出变为高阻抗,但V REF保持活跃。
  • 封装选项‌:提供SOIC-8和SO PowerPAD-8两种封装。

三、引脚功能

  • GND‌:地
  • SD‌:关断引脚,低电平有效
  • VSENSE‌:反馈引脚,用于调节V TT输出
  • VREF‌:缓冲内部参考电压输出
  • AVIN‌:模拟输入引脚,用于供电内部控制电路
  • PVIN‌:电源输入引脚,用于供电输出级
  • VTT‌:调节输出,连接至终止电阻
  • EP‌(SO PowerPAD-8封装):裸露的热焊盘,连接至地

四、电气特性

  • 参考电压‌:V REF = 0.86V(典型值),在PVIN和VDDQ为1.8V时。
  • 输出电压‌:V TT = 0.9V(典型值),在输出电流为0A时。
  • 静态电流‌:I Q = 500μA(典型值),在AVIN为2.5V时。
  • 关断时静态电流‌:I Q_SD = 150μA(典型值)。
  • 热关机阈值‌:T SD = 165°C(典型值)。

五、应用

  • DDR-II内存终止电压‌:LP2997专为DDR-II内存设计,提供精确的终止电压。
  • STR功能‌:在关断模式下,通过降低静态电流实现电源节省。

六、布局考虑

  • 输入电容‌:推荐在PVIN引脚附近放置输入电容,以改善大负载瞬态性能。
  • VSENSE引脚‌:应连接至V TT终止总线的中间位置,以改善负载调节。
  • VDDQ引脚‌:可以远程连接至DIMM或芯片组的V DDQ电源轨,以提供准确的参考电压。
  • 热管理‌:使用较大的顶层铜皮和多个过孔来改善热性能。

七、封装与尺寸

  • SOIC-8‌:封装尺寸为8引脚,小型集成电路封装。
  • SO PowerPAD-8‌:封装尺寸为8引脚,带裸露热焊盘的电源小型集成电路封装。

八、文档与支持

  • 提供详细的数据手册,包括电气特性、典型应用电路、PCB布局考虑等。
  • 可通过TI官网获取更多信息和技术支持。
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