英飞凌为电动汽车推出“强力而节能”的IGBT和RC-IGBT器件

英飞凌科技股份公司推出新一代产品，以满足市场对高压车用IGBT芯片日益增长的需求。
 

这些产品包括专为400 V和800 V系统设计的EDT3（第三代电力传动系统）芯片，以及专为800 V系统定制的RC-IGBT芯片。这些器件可提高电力传动系统的性能，特别适用于汽车应用。

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EDT3和RC-IGBT裸芯片专为提供高质量和可靠的性能而设计，使客户能够制造定制功率模块。相较于EDT2，新一代EDT3有了显著的进步，在高负载时总损耗降低了20%，同时保持了低负载时的效率。这一成就得益于最大限度降低芯片损耗和提高最高结温的优化措施，从而平衡了高负载性能和低负载效率。因此，使用EDT3芯片的电动汽车可延长续航里程并降低能耗，从而提供更具可持续性和成本效益的驾驶体验。

英飞凌车用高压芯片和分立器件业务副总裁Robert Hermann表示：“作为领先的IGBT技术供应商，英飞凌致力于提供卓越的性能和可靠性。凭借我们对创新和碳减排的坚定承诺，我们的EDT3解决方案能够帮助客户在其应用中取得理想的结果。”

EDT3芯片组拥有750 V和1200 V两种电压级，可提供高输出电流，非常适合纯电动汽车、插电式混合动力电动汽车、增程式电动汽车等各种电动汽车的主逆变器应用。EDT3芯片组的芯片尺寸有所缩小，设计得到优化，有利于制造更小的模块，从而降低系统总成本。此外，这些器件的最大虚拟结温为185°C，最大集电极-发射极额定电压高达750 V和1200 V，非常适合高性能应用，使汽车制造商能够设计出更高效、更可靠的动力系统，从而延长续航里程并减少排放。

Leadrive创始人兼总经理、工程学博士Jie Shen表示：“作为Leadrive的主要IGBT芯片供应商和合作伙伴，英飞凌始终如一地为我们提供可带来系统级优势的创新解决方案。最新的EDT3芯片优化了损耗和损耗分布，支持更高的工作温度，并提供多种金属化选择。这些特性不仅缩小了每安培硅片面积，还加快了先进封装技术的应用。”

1200 V RC-IGBT在单个芯片上集成了IGBT和二极管功能，从而提高了性能，与单独的IGBT和二极管芯片组解决方案相比，1200 V RC-IGBT可提供更高的电流密度。电流密度的提高、芯片尺寸的可扩展性以及组装工作量的减少使这一进展转化为系统成本效益。

英飞凌最新的EDT3 IGBT芯片技术现已集成到HybridPACK™ Drive G2车用功率模块中，为整个模块产品组合带来更高的性能和更强的功能。该模块在750 V和1200 V电压级内具有高达250 kW的功率范围，并具有更强的易用性，以及集成新一代相电流传感器、片上温度传感等新功能，有助于降低系统成本。

所有芯片器件均提供定制芯片布局，包括片上温度和电流传感器。此外，还可根据要求提供烧结、焊接、接合等金属化选项。

来源：半导体芯科技

 

审核编辑 黄宇