MAX5879 14位、2.3Gsps直接RF合成DAC，提供可选择频响技术手册

概述
MAX5879是高性能、14位、2.3Gsps数/模转换器(DAC)，在基带和高阶奈奎斯特区用于合成高频和宽带信号。2.3Gsps刷新速率，结合可选择的频率响应模式(NRZ、RZ、RF和RFZ)，允许生成超过2GHz输出频率的数字信号。独特的RFZ模式可产生高达6阶的奈奎斯特信号，刷新速率可达1150Msps。器件具有优异的杂散、噪声和交调失真性能，可以直接合成超过1GHz的信号带宽。
数据表：*附件：MAX5879 14位、2.3Gsps直接RF合成DAC，提供可选择频响技术手册.pdf

器件具有四路14位、多路复用、低压差分信号(LVDS)输入端口，每个端口工作速率达1150Mwps。DAC工作时钟频率(f CLK )可达2.3GHz。器件具有一个可选择的2:1或4:1输入多路复用器，允许用户选择两个数据端口(每端口速率高达1150Mwps)，或四个数据端口(每端口速率高达575Mwps)。相应地，每个端口的输入数据速率为DAC刷新速率的1/2或1/4。器件的延迟锁相环(DLL)可方便器件与FPGA或ASIC进行数据同步。奇偶输入和奇偶误差标识输出用于检测数据源与DAC之间的误码。器件还具有数据时钟复位电路，用于对齐多个DAC数据采集时钟。

器件具有四个可选择的频率响应输出模式：

1. 不归零(NRZ)模式，在第一段奈奎斯特区提供最高动态范围/输出功率。
2. 归零(RZ)模式，在第一、第二和第三段奈奎斯特区调整SNR，以改善增益平坦度。
3. 射频(RF)模式，在第二和第三奈奎斯特区提供较高的SNR和优异的动态性能。
4. 射频归零(RFZ)模式，f CLK /2最大刷新速率下，在第三至第六奈奎斯特区提供高动态范围并改善增益平坦度。

器件采用电流型DAC架构，集成50Ω差分输出匹配电阻，确保器件的最佳动态性能。器件工作在3.3V和1.8V电源，40mA满量程电流下耗电1.8W；80mA满量程电流下耗电2.3W。器件工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围，采用256焊球(17mm x 17mm) CSBGA封装。

应用

• 任意波形发生器
• 宽带通信
• 数字视频广播
• 直接数字合成器
• 边缘QAM和CMTS
• 雷达和航空设备
• 软件无线电
• 无线基础设施

特性

• 业界领先性能
  • WCDMA ACLR：2.14GHz下为70dB
  • DOCSIS ACP：400MHz、8通道(256 QAM)下为-70dBc
  • 噪声密度：200MHz下为-165dBc/Hz
• 高输出功率：9dBm (CW)
• 频率响应模式：NRZ、RZ、RF、RFZ
• 2GHz输出带宽
• 2:1或4:1多路LVDS输入
  • 每个端口达1150MHz
  • 工作在1倍或2倍数据速率
• 片上DLL用于输入数据同步
• 复位功能用于多路DAC同步

框图

典型操作特性

应用信息

输出耦合

OUTP和OUTN之间的差分电压可使用变压器或差分放大器转换为单端电压。数模转换器（DAC）输出应上拉至AVDD3.3 。建议使用偏置抽头，利用分立电感和电容将输出上拉。图16中展示了推荐的输出电路配置。为实现最大带宽并尽量减小变压器次级侧接地引线上的电感，连接接地层时请使用极短的走线和多个过孔。

接地、旁路、电源及电路板布局注意事项

接地和电源去耦会对器件性能产生显著影响。不需要的数字串扰可能会通过输入、基准、电源和接地连接耦合进来，从而影响动态性能。高速高频应用的正确接地和电源去耦准则应严格遵守。这有助于减少电磁干扰（EMI）和内部串扰，而它们会显著影响器件的动态性能。

使用具有独立接地层和电源层的多层印刷电路板（PCB）是必要的。建议将模拟输出和时钟输入作为受控阻抗微带线在电路板顶层布线。

直接布设在接地层上方，且模拟输出（OUTP、OUTN）信号和时钟输入（CLKP、CLKN）不使用过孔。根据走线长度和工作条件，可能需要使用低损耗电介质材料（如ROGERS RO4003）作为顶层电介质材料。数据时钟（DCLKP、DCLKN）的布线应使耦合到时钟输入和DAC输出的干扰最小化。

数字信号应作为受控阻抗走线布设在接地层之间。数字信号应尽量远离敏感的模拟输入、基准输入感应线、共模输入和时钟输入。尤其重要的是，要尽量减小数字信号与时钟之间的耦合，以优化高速输出频率下的动态性能。对称的时钟输入和模拟输出走线设计对于最小化失真和优化DAC的动态性能至关重要。数字信号路径应尽量短，走线长度应匹配，以避免数据延迟失配。

该器件支持三个独立的电源输入，分别用于模拟3.3V（AVDD3.3）、开关电源（VDD1.8）和时钟（AVCLK）电路。每个AVDD3.3、VDD1.8和AVCLK输入都应在尽可能靠近输入的位置连接一个独立的47nF电容器，其另一端应连接到对应的接地层，以尽量减小环路电感。这三个电源电压也应在其离开印刷电路板的位置去耦，可使用钽电容或电解电容，并添加铁氧体磁珠，以及形成π型网络的去耦电容，这样也能改善性能。