MCU片上Flash是微控制器内部集成的非易失性存储器,主要用于存储程序代码、常量数据及系统配置信息。其核心特性与功能如下:
一、定义与类型
片上Flash采用浮栅晶体管技术,具备断电数据保留能力,支持多次擦写操作,是MCU程序存储的核心介质。
主要类型
NOR Flash:支持随机访问,可直接运行代码,适用于实时性要求高的场景。
NAND Flash:需通过RAM加载代码,集成度高但访问速度较慢,常见于复杂SoC系统。
分区架构:部分MCU将Flash划分为Code区(0等待周期)与Data区(高延迟),以优化执行效率(如GD32F系列)。
二、技术特性与工作机制
访问速度:NOR Flash随机读取速度满足MCU实时需求,但写入速度较慢;高频MCU需配置等待周期以匹配CPU时钟(如300MHz需插入延迟)。
存储布局:通常分为启动扇区、主程序区、配置区等,支持中断向量表直接映射与固件OTA升级。
代码执行:MCU复位后从Flash起始地址加载启动代码,完成时钟初始化与外设配置,随后跳转至主程序入口。
数据管理:常量数据可直接存储于Flash,而运行时变量需加载至SRAM以避免访问延迟。
三、应用场景与优化策略
典型应用
实时控制系统:工业自动化、电机控制依赖NOR Flash的直接代码执行能力。
车载电子:汽车MCU采用PFlash(程序存储)与DFlash(数据存储)分区设计,满足高可靠性与擦写耐久性需求。
优化方案
分散加载:将实时性代码分配至Code区,非关键代码放入Data区,兼顾执行效率与存储容量。
缓存机制:部分MCU通过指令预取(Prefetch)或Cache减少Flash访问延迟。
审核编辑 黄宇
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