半导体新闻
4月9日上午,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。
基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品,包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。
随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定,并鼓励公司团队再接再厉,立足创新驱动,不断发展壮大,成为中国第三代半导体产业的领军企业。
国家集成电路产业投资基金是为促进集成电路产业发展而设立,重点投资集成电路芯片制造业,兼顾芯片设计、制造、封装测试、设备和材料等产业,实施市场化运作、专业化管理。截至2017年底,大基金累计有效决策投资67个项目,累计项目承诺投资额1188亿元。据悉大基金二期筹资规模超过一期,将达到1500-2000亿元。
4月10日上午,丁文武、监事会主席林桂凤、技术总监张晋民、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟秘书长肖向锋等一行,在珠海市高新区闫昊波书记、珠海市科工信局刘嘉副局长等领导陪同下,来到英诺赛科(珠海)科技有限公司进行调研和座谈。
英诺赛科董事长骆薇薇博士向丁文武总裁介绍了公司近期投产的中国首条“8英寸硅基氮化镓”生产线,重点介绍了自主研发的硅基氮化镓增强型功率器件和面向5G通信的射频器件,随后参观了洁净车间和产品应用展厅。
丁文武表示百闻不如一见,对英诺赛科在8英寸硅基氮化镓量产线建设、芯片研发和制造等方面取得的进展给予充分肯定,并为英诺赛科这一平台吸引到众多国际一流企业的半导体骨干人才感到振奋。希望公司要发挥人才优势,把握市场先机,同时在生产规模上再上台阶。闫昊波书记表示,英诺赛科是珠海市高新区从国外重点引进的高科技项目,对英诺赛科的发展寄予厚望。希望公司把握粤港澳大湾区科技创新的历史机遇,为我国半导体产业赶超国际水平做出贡献。
国家集成电路产业投资基金成立于2014年9月,兼具国家战略的引导性和市场运作的科学性,一期募集资金1387亿元并基本投资完毕;2018年启动的二期募资预计可达2000亿,重点投向集成电路芯片制造业,同时积极布局芯片设计、制造、封装测试、设备和材料等产业。
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