LM74703-Q1 具有 FET 良好输出的汽车级理想二极管控制器数据手册

LM74703-Q1、LM74704-Q1 是一款符合 AEC Q100 标准的汽车级理想二极管控制器，它与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用，作为理想二极管整流器，用于低损耗反极性保护，正向压降为 20mV。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围允许控制常用的直流总线电压，例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统。3.2 V 输入电压支持专为满足汽车系统中的严苛冷启动要求而设计。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。
*附件：lm74703-q1.pdf

该器件控制 MOSFET 的栅极，以将正向压降调节为 20 mV。该调节方案可在反向电流事件期间正常关闭 MOSFET，并提供零直流反向电流。对反向电流阻断的快速响应 （< 0.75 μs） 使该器件适用于在ISO7637脉冲测试期间具有输出电压保持要求的系统以及电源故障和输入微短路情况。LM74703-Q1、LM74704-Q1 具有 FETGOOD 输出，用于指示外部 MOSFET 漏极到源极短路或开路情况。该器件具有使能引脚 （EN）。当使能引脚为低电平时，控制器关闭并消耗大约 1μA 的电流。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• –65V 反向额定电压
• 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
• 20mV 阳极到阴极引脚正向压降调节
• 使能引脚功能
• 1μA 关断电流 （EN=Low）
• 80μA 工作静态电流 （EN=高）
• 2.3A 峰值栅极关断电流
• FETGOOD 输出指示外部 MOSFET 健康状态
• 对反向电流阻断的快速响应：< 0.75 μs
• 扩展频率范围（150kHz 至 1GHz）的 EMI 性能
• 通过外部 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
• 8 引脚 SOT-23 封装 2.90 mm × 1.60 mm

参数

方框图

1. 产品概述

LM74703-Q1是一款适用于汽车应用的理想二极管控制器，配合外部N通道MOSFET使用，提供低损耗的反向极性保护，具有20mV的阳极到阴极引脚正向电压降。该产品通过了AEC-Q100认证，适用于-40°C至125°C的环境温度范围。

2. 主要特性

• ‌宽输入电压范围‌：3.2V至65V（启动电压3.9V），支持12V、24V和48V汽车电池系统。
• ‌反向电压额定值‌：-65V，保护负载免受负电源电压损害。
• ‌电荷泵‌：为外部N通道MOSFET提供驱动电压。
• ‌快速响应‌：反向电流阻断响应时间小于0.75µs。
• ‌健康指示‌：FETGOOD输出指示外部MOSFET的健康状态。
• ‌低EMI‌：在150kHz至1GHz的扩展频率范围内具有优异的EMI性能。

3. 应用领域

• ‌ADAS系统‌：如摄像头模块。
• ‌信息娱乐系统‌：数字仪表板、车头单元。
• ‌车身电子和照明‌：包括主动ORing冗余电源。

4. 电气规格

• ‌工作结温范围‌：-40°C至125°C
• ‌关断电流‌：1µA（EN=Low）
• ‌工作静态电流‌：80µA（EN=High）
• ‌峰值栅极关断电流‌：2.3A

5. 功能特性

• ‌使能引脚‌：EN引脚低电平时，控制器关闭，仅消耗约1µA的电流。
• ‌FET健康监测‌：通过FETGOOD引脚指示外部MOSFET的漏极到源极短路或开路状态。
• ‌电荷泵UVLO‌：电荷泵输出电压低于UVLO阈值时，禁用栅极驱动。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：8引脚SOT-23，尺寸为2.90mm × 1.60mm。

7. 应用设计考虑

• ‌MOSFET选择‌：需考虑最大连续漏极电流、最大漏源电压、体二极管最大源电流和漏源导通电阻。
• ‌电荷泵电容‌：VCAP引脚间需连接至少0.1µF的电容。
• ‌输入与输出电容‌：建议输入电容至少22nF，输出电容至少100nF。
• ‌TVS二极管‌：用于保护电路免受瞬态电压冲击，需根据电池电压选择合适的TVS二极管。