从型号看实力！仁懋GaN器件命名规则全解析

型号背后的技术密码
 

仁懋氮化镓（GaN）器件型号采用 "三段式编码规则" ，通过字母与数字组合精准传递技术参数。 

 

 

 

示例型号：MOTGE65R190Q

 

 

1. 前缀定位技术路线

 

 

- GE：增强型（E-mode）氮化镓  

 

 

- GD：耗尽型（D-mode）氮化镓  

 

 

技术差异：E-mode器件无需负压关断，驱动电路更简化；D-mode需搭配驱动IC实现常闭特性。  

 

 

2. 耐压等级标识

 

 

- 65：650V击穿电压（实际测试值≥700V）  

 

 

-70：700V击穿电压（适配800V母线系统）  

 

 

3. 导通电阻精准标注

 

 

- R190：25℃结温下RDS(on)=190mΩ  

 

 

- 测试标准：JEDEC JS-709-1A（脉冲法）  

 

 

4.封装代码

 

 

- Q：DFN8×8（尺寸8mm×8mm，支持双面散热）  

 

 

- G：DFN5×6（尺寸5mm×6mm，紧凑型设计）  

 

 

产品矩阵与性能对标

 

 

| 型号| 类型 | 耐压(V) | RDS(on)(mΩ) | 封装| Qg(nC)  

 

 

| MOTGE65R190Q | E-mode | 650 | 190 | DFN8×8    | 8.5    

 

 

| MOTGD65R110Q | D-mode | 650 | 110 | DFN5×6| 6.2   

 

 

| MOTGE70R350G | E-mode  | 700 | 350 | DFN5×6  | 12.8

 

 

关键参数解读

 

 

E-mode低Qg优势：MOTGE65R190Q的Qg仅8.5nC，支持500kHz高频开关

 

 

D-mode超低内阻：MOTGD65R110Q的RDS(on)低至110mΩ，导通损耗较硅MOS降低60%