LM66100-Q1 是一款单输入、单输出 (SISO) 集成理想二极管,非常适合各种应用。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持 1.5 A 的最大连续电流。
芯片使能的工作原理是将 CE 引脚电压与输入电压进行比较。当 CE 引脚电压高于 VIN 时,器件禁用,MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压较低时,MOSFET 导通。LM66100-Q1 还带有反极性保护 (RPP),可以保护器件免受误接线输入(如电池反接)的影响。
*附件:lm66100-q1.pdf
两个 LM66100-Q1 器件可用于类似于双二极管 ORing 实现的 ORing 配置。在这种配置中,器件将最高输入电压传递到输出,同时阻止反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压,以确保反向电流通过内部电压比较器被阻止。
LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装,其特点是在 –40°C 至 150°C 的结温范围内工作。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
- 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 宽工作电压范围:1.5 V–5.5 V
- VIN 上的反向电压隔离:-6V 绝对最大值
- 最大连续电流 (I
麦克斯 ): 1.5 安培 - 导通电阻 (R
上 ): - 5V V 电压
在 = 79 mΩ(典型值) - 3.6V 电压
在 = 91 mΩ(典型值) - 1.8V 电压
在 = 141 mΩ(典型值)
- 比较器芯片使能 (CE)
- 通道状态指示 (ST)
- 低电流消耗:
- 3.6V 电压
在关断电流 (I SD,VIN ):120 nA(典型值) - 3.6V 电压
在静态电流 (I Q、VIN ):150 nA(典型值)
参数

方框图

概述
LM66100-Q1是一款专为汽车应用设计的单输入单输出(SISO)集成理想二极管,具有输入极性保护功能。该设备包含一个P沟道MOSFET,可在1.5V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持最大1.5A的连续电流。LM66100-Q1通过了AEC-Q100认证,适用于车载信息娱乐系统、ADAS环视系统ECU、车身控制模块和网关等多种应用。
主要特性
- AEC-Q100认证:适用于汽车应用,环境工作温度范围为-40°C至125°C。
- 宽工作电压范围:1.5V至5.5V。
- 反向电压承受能力:VIN端绝对最大值为-6V。
- 低电流消耗:
- 3.6V VIN时的关断电流(ISD,VIN):120nA(典型值)
- 3.6V VIN时的静态电流(IQ,VIN):150nA(典型值)
- 最大连续电流:1.5A
- 低导通电阻:5V VIN时典型值为79mΩ
- 芯片使能(CE)功能:通过比较CE引脚电压和输入电压来控制MOSFET的开关状态。
- 通道状态指示(ST) :当芯片禁用时,ST引脚输出低电平。
应用
- 车载信息娱乐系统和集群显示单元
- ADAS环视系统ECU
- 车身控制模块和网关
功能描述
- 反向极性保护(RPP) :在输入电压为负时,理想二极管保持关闭状态,防止电流流动,保护系统负载。
- 始终开启的反向电流阻断(RCB) :通过将CE引脚连接到VOUT,可以检测并阻断反向电流流动。
- 芯片使能(CE) :当CE引脚电压高于VIN时,设备禁用,MOSFET关闭;当CE引脚电压低于VIN时,MOSFET开启。
设备功能模式
- 关闭状态:当CE引脚电压高于VIN时,设备关闭,输出高阻抗,ST引脚输出低电平。
- 开启状态:当CE引脚电压低于VIN时,MOSFET开启,允许电流从VIN流向VOUT,ST引脚为高阻抗状态。
典型应用
- 双理想二极管ORing配置:两个LM66100-Q1设备可以组合使用,以实现两个电源之间的ORing功能,同时提供反向电流保护。
- 与离散MOSFET的ORing:LM66100-Q1的状态输出可以用于控制外部P沟道MOSFET,实现更灵活的电源管理。
布局指南
- 所有走线应尽可能短,以减少寄生电感的影响。
- 输入和输出电容应靠近设备放置,以减小寄生迹线电感对正常操作的影响。
- 使用宽走线以最小化寄生电气效应。
文档支持
- 提供了数据手册、应用指南和相关应用笔记的支持链接。
- 用户可以订阅文档更新通知,以获取最新产品信息。
通过以上总结,用户可以全面了解LM66100-Q1的主要特性、应用、功能描述、设备功能模式、典型应用以及布局指南。