LM74700-EP 是一款理想二极管控制器,它与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用,作为理想二极管整流器,用于低损耗反极性保护,正向压降为 20 mV。3.2 V 至 65 V 的宽电源输入范围允许控制许多常用的直流总线电压,例如 12 V、24 V 和 48 V 系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。
*附件:lm74700-ep.pdf
该器件控制 MOSFET 的 GATE 以调节 20 mV 的正向压降。该调节方案可在反向电流事件期间正常关闭 MOSFET,并确保零直流反向电流流过。对反向电流阻断的快速响应 (< 0.75 μs) 使该器件适用于在电源故障和输入微短路情况下具有输出电压保持要求的系统。
LM74700-EP 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。LM74700-EP 的高额定电压有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。当使能引脚为低电平时,控制器关闭并消耗大约 1 μA 的电流。LM74700-EP 在 T 的温度范围内完全指定 一个 = –55°C 至 +125°C。
特性
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- –65V 反向额定电压
- 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
- 20mV 阳极到阴极正向压降调节
- 使能引脚功能
- 1μA 关断电流(EN = 低)
- 80μA 工作静态电流(EN = 高)
- 2.3A 峰值栅极关断电流
- 对反向电流阻断的快速响应:< 0.75 μs
- 通过合适的 TVS 二极管满足汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装,2.90 mm × 1.60 mm
- 军用温度范围 –55°C 至 +125°C
- 一个制造、组装和测试站点
- 延长产品生命周期
- 延长产品变更通知
- 产品可追溯性
参数

方框图

1. 产品概述
LM74700-EP 是一款低 IQ 理想二极管控制器,适用于宽输入电压范围(3.2V 至 65V),具有反向电压额定值达 -65V 的能力。该设备通过结合外部 N 沟道 MOSFET,实现低损耗的反向极性保护,并提供 20mV 的阳极到阴极正向电压降调节。LM74700-EP 专为航空航天、国防和医疗成像等应用设计,也适用于冗余电源的主动 ORing。
2. 主要特性
- 宽输入电压范围:3.2V 至 65V,启动电压为 3.9V。
- 反向电压额定值:-65V。
- 低 IQ 和低操作静态电流:关断模式下仅为 1μA,操作静态电流为 80μA。
- 快速响应:反向电流阻断响应时间 < 0.75μs。
- 符合汽车标准:满足 ISO7637 瞬态要求。
- 小型封装:8 引脚 SOT-23 封装,尺寸为 2.90mm × 1.60mm。
- 长产品生命周期:提供扩展的产品生命周期和变更通知。
3. 应用
- 航空航天和国防
- 医疗成像
- 冗余电源的主动 ORing
4. 功能描述
- 电荷泵:为外部 N 沟道 MOSFET 提供门驱动电压。
- 门驱动:根据阳极到阴极的电压调整门极电压,实现正向电压降的调节和反向电流的阻断。
- 使能引脚:控制设备的开启和关闭。
- 快速反向电流保护:在检测到反向电流时,快速关断 MOSFET。
5. 设备功能模式
- 关断模式:使能引脚电压低于输入低阈值时,设备进入低 IQ 状态。
- 传导模式:包括正向调节模式、全导通模式和反向电流保护模式,根据阳极到阴极的电压自动切换。
6. 典型应用
- 反向极性保护:通过外部 N 沟道 MOSFET 实现,保护负载免受负向电压的影响。
- ORing 应用:在冗余电源系统中,确保在主电源故障时,备用电源能够无缝接管。
7. 电源推荐
- 推荐使用具有过载和短路保护功能的电源。
- 输入电容应靠近设备放置,以减小寄生电感。
8. 布局指南
- 将 LM74700-EP 的阳极、门极和阴极引脚与 MOSFET 的源极、门极和漏极引脚紧密连接。
- 使用厚走线以最小化 MOSFET 的电阻性损耗。
- 电荷泵电容应远离 MOSFET 放置,以降低热影响。
9. 文档支持
- 提供了接收文档更新通知、支持资源、静电放电警告等信息。
- 提供了详细的机械、包装和可订购信息。
10. 机械、包装和可订购信息
- LM74700-EP 提供 SOT-23-THIN (DDF) 封装选项。
- 可订购部件号为 LM74700MDDFREP,生产状态为活跃。
通过上述总结,用户可以全面了解 LM74700-EP 的主要特性、应用、功能描述、设备功能模式、典型应用、电源推荐、布局指南以及机械、包装和可订购信息。