T5503HS2高速存储器芯片测试系统 传输率高达6.4Gbps

　　半导体测试设备领导供应商爱德万测试（Advantest Corporation）正式推出T5503HS2测试系统，专为现役最高速存储器装置，以及新世代超高速DRAM产品，提供业界最富成效的测试解决方案。在全球存储器需求处于「超级循环」高速成长之际，其具备的灵活性，有助扩展T5503系列产品的测试能力。

　　此存储器超级循环拜行动电子装置与服务器终端市场成长之赐。根据市调机构IHS Markit， 自2009年至今，Mobile DRAM于整体DRAM产业的市占率已成长5倍以上。IHS Markit更预测，至2021年，来自行动电子、资料中心、汽车、博奕游戏与显卡等各种资料处理应用所需要的DRAM总容量，将达到1，200亿个Gbit存储器。为了满足此蓬勃成长的庞大需求，芯片制造商利用先进SDRAM技术，一举开发DDR5与LP-DDR5存储器，其资料传输率高达6.4Gbps。

　　爱德万T5503HS2测试系统旨在兼顾新世代存储器与既有装置，提供测试解决方案，可测试时脉精确度为±45皮秒（picoseconds），资料传输速度高达8Gbps的存储器。此多功能测试系统共有16，256通道，用来测试新世代LP-DDR5与DDR5 SDRAM装置时，可达到半导体业界最高平行测试数量，以及最佳成本效益，同时用户仍可继续测试现有的DDR4与LP-DDR4与高带宽存储器。此测试机台若选择配备4.5-GHz高速时脉讯号产生器，便可扩展测试未来8Gbps以上资料传输率的存储器芯片。

　　T5503HS2内建功能强大，而且是唯一用于支持新世代LP-DDR5、DDR5等高速存储器装置量产的高速测试平台。举例来说，此测试机台可自动辨识与调整DQS-DQ差动时脉差异讯号，以确保实时追踪取得更多时脉余裕。此外，T5503HS2稳固的全新演算图样产生器（algorithmic pattern generator；ALPG），可对先进存储器装置进行快速、高质量的功能评估。T5503HS2亦具备全新可编程电源供应器，反应速度较先前版本快4倍，大幅减少压降的冲击。

　　目前采用T5503测试机的用户可选择升级至全新T5503HS2测试系统，使生产设备在符合经济效益之下，无缝接轨新世代存储器装置。爱德万测试执行副总裁Masuhiro Yamada表示：「爱德万T5503HS2测试系统针对新世代存储器芯片全速测试，展现业界最佳效能与精准度。此测试系统无与伦比的可扩充性与生产力，使其成为测试LP-DDR5、DDR5装置的最迅速、最准确、最符合成本效益的系统。」