TPS23525 具有双电流限制和双 Oring 的 -10V 至 -80V 热插拔控制器数据手册

TPS23525 是一款集成的热插拔和双 OR-ing 控制器，使高功率电信系统能够满足严格的瞬态要求。200V 的绝对最大额定值使其更容易通过雷电浪涌测试 （IEC61000-4-5）。软启动电容断开允许通过限制浪涌电流来使用更小的热插拔 FET，而不会损害瞬态响应。400μA 拉电流允许快速恢复，这有助于避免在雷击浪涌测试期间发生系统重置。双电流限制使其更容易传递欠压和输入步骤，例如 ATIS 0600315.2013 的要求。最后，它提供精确的欠压和过压保护，具有可编程阈值和迟滞。

TPS23525 集成了一个双 OR-ing 控制器，非常适合由两个冗余电源供电的 –48V 系统。
*附件：tps23525.pdf

特性

• -10V 至 -80V 直流工作电压，-200V 绝对最大值
• 软启动电容断开
• 400μA 栅极源电流
• 双电流限制（基于 V DS 系列 )
  • 低 V 时为 25 mV ±4%DS 系列
  • 高 V 时为 3 mV ±25%DS 系列
• 可编程 UV（±1.5%）和 OV （±2%）
  • 可编程迟滞 （±11%）
• 集成双 OR-ing 控制器
  • 调节：25 mV ±15 mV
  • 快速关断：–6 mV ±4 mV
• 超时后重试
• 16 引脚 TSSOP 封装

参数

方框图

1. 产品概述

TPS23525是一款集成了热插拔和双OR-ing控制器的芯片，专为-48V高功率电信系统设计，以满足严格的瞬态要求。该器件具有-200V的绝对最大电压额定值，使其能够轻松通过雷电浪涌测试。

2. 主要特性

• ‌高电压操作‌：-10V至-80V DC操作范围。
• ‌软启动电容断开‌：在启动时连接软启动电容，正常操作时断开，允许使用更小的热插拔FET。
• ‌双电流限制‌：根据VDS的不同，提供高电流限制（I_CL1）和低电流限制（I_CL2），以保护MOSFET。
• ‌可编程UV和OV保护‌：具有可编程的欠压（UV）和过压（OV）保护阈值及迟滞。
• ‌集成双OR-ing控制器‌：调节从VEE到Neg48A和Neg48B的压降至25mV，模拟理想二极管。
• ‌快速关断‌：在检测到故障时，能够快速关断以保护系统。
• ‌重试功能‌：在超时后尝试重新启动，以提高系统的可靠性。

3. 应用领域

• ‌远程无线电单元‌
• ‌基带单元‌
• ‌路由器和交换机‌
• ‌小型基站‌
• ‌**-48V电信基础设施**‌

4. 功能描述

• ‌热插拔控制‌：通过GATE引脚驱动主热插拔FET，管理浪涌电流并保护下游电路。
• ‌OR-ing控制‌：通过GATEA和GATEB引脚驱动OR-ing FET，实现双电源冗余供电，并在检测到反向电流时快速关断。
• ‌可编程电流限制‌：通过外部电阻设置电流限制阈值，以适应不同的应用需求。
• ‌软启动‌：通过SS引脚和C_SS电容实现软启动，限制启动时的浪涌电流。
• ‌电源良好信号‌：PGb引脚提供电源良好信号，指示负载可以开始正常工作。

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：16引脚TSSOP封装。
• ‌尺寸‌：5.00mm x 4.40mm。

6. 电气特性

• ‌工作温度范围‌：-40°C至125°C。
• ‌VCC调节电压‌：1.1V至10mA时，VCC调节电压为12V至18V。
• ‌门电流‌：正常操作时，GATE引脚最大400µA；启动时，最大25µA；快速下拉时，最大1.5A。
• ‌可编程UV和OV阈值‌：UV阈值范围为0.985V至1.015V，OV阈值范围为0.981V至1.02V。

7. 设计指南

• ‌ 选择感测电阻（R_SNS） ‌：根据最大负载电流和目标电流限制来设置。
• ‌设置软启动‌：通过选择合适的C_SS和C_SS_VEE电容来限制启动时的浪涌电流。
• ‌选择MOSFET‌：根据VDS额定值、R_DSON和SOA（安全操作区域）来选择合适的MOSFET。
• ‌布局考虑‌：确保VEE和SNS引脚通过开尔文连接到感测电阻，以减少电流感应误差。

8. 安全与认证

• ‌ESD保护‌：提供HBM（人体模型）1000V和CDM（充电器件模型）500V的ESD保护。
• ‌安全认证‌：符合UL 2367和IEC 62368-1标准。

9. 社区与支持

• ‌TI E2E在线社区‌：提供技术支持和用户交流的平台。
• ‌设计支持‌：TI提供设计支持工具和联系信息，帮助用户解决设计中的问题。