TPL7407LA 是一种高电压、大电流 NMOS 晶体管阵列。该器件由 7 个 NMOS 晶体管组成,具有高压输出和共阴极箝位二极管,用于切换电感负载。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600 mA。添加了新的调节和驱动电路,可在所有 GPIO 范围 (1.8 V–5 V) 内提供最大驱动强度。晶体管可以并联以获得更高的电流能力。
TPL7407LA关键优势是它比双极达林顿方案更高的功率效率和更低的泄漏。使用较低的 V老与每通道电流小于 250 mA 的传统继电器驱动器相比,用户的功耗不到传统继电器驱动器的一半。
*附件:tpl7407la.pdf
特性
- 600mA 额定漏电流(每个通道)
- 7 通道达林顿阵列的 CMOS 引脚对引脚改进(例如:ULN2003A)
- 功率效率高(极低的 V
老 ) - V 电压降低不到 4 倍
老在 100 mA 时比达林顿阵列
- 每通道 < 10 nA 的极低输出泄漏
- 扩展环境温度范围:T
一个 = –40°C 至 +125°C - 高压输出 30 V
- 与 1.8V 至 5V 微控制器和逻辑接口兼容
- 内部续流二极管,用于感应反冲保护
- 输入下拉电阻器允许对输入驱动器进行三态
- 输入 RC 缓冲器可消除嘈杂环境中的杂散作
- 电感式负载驱动器应用
- ESD 保护超过 JESD 22
- 采用 16 引脚 SOIC 和 TSSOP 封装
参数

方框图

1. 产品概述
- 类型:30V 7通道低侧驱动器
- 应用:适用于驱动继电器、无刷直流电机、电磁阀、LED等感性负载
- 特点:
- 高电压输出(30V)
- 每通道最大漏极电流600mA
- 兼容1.8V至5V微控制器和逻辑接口
- 低输出泄漏电流(<10nA/通道)
- 扩展环境温度范围(-40°C至+125°C)
- 内部续流二极管,防止感应回击
- 输入下拉电阻,允许输入驱动器三态
- 输入RC吸收器,消除噪声环境下的虚假操作
2. 封装与尺寸
- 封装:提供16引脚SOIC(D)和TSSOP(PW)封装
- SOIC(D):9.90mm × 3.91mm
- TSSOP(PW):5.00mm × 4.40mm
3. 电气特性
- 绝对最大额定值:
- VOUT引脚对地电压:-0.332V至30V
- VCOM引脚电压:-0.332V至30V
- VIN引脚对地电压:-0.3V至30V
- 连续漏极电流(每通道):600mA
- 输出钳位电流:500mA
- GND引脚总连续电流:-2A
- 结温:-40°C至150°C
- 存储温度:-65°C至150°C
- 推荐工作条件:
- VOUT引脚电压:0V至30V
- VCOM引脚电压:6.5V至30V
- VIN引脚低电平电压(VIL):0.9V
- VIN引脚高电平电压(VIH):1.5V
- 工作环境温度:-40°C至125°C
- 连续漏极电流(每通道):500mA
- 电气性能:
- 低电平输出电压(VOL):在VIN≥1.5V,ID=100mA时,典型值为210mV,最大值为450mV
- 输入泄漏电流(IOFF):在VOUT=24V,VIN≤0.9V时,典型值为10nA,最大值为500nA
- 钳位二极管正向电压(VF):在IF=200mA时,为1.4V
4. 功能描述
- 输入RC吸收器:通过内部50kΩ电阻和固有电容,作为RC吸收器,防止噪声环境下的虚假切换
- 输出钳位二极管:用于抑制感性负载关断时产生的反向电压
- 内部LDO:为栅极驱动电路供电,确保在VCOM电压为6.5V至30V范围内,所有GPIO电压均能驱动输出至最大
5. 应用场景
- 感性负载驱动:如继电器、电磁阀、无刷直流电机等
- 逻辑电平移位:在不同电压逻辑电路之间提供接口
- 多用途漏极驱动:通过并联输出通道,驱动更高电流的负载,如LED、小电机等
6. 布局与散热
- 布局指南:
- 输入迹线应尽可能短,以减少交叉干扰
- 输出迹线应足够宽,以驱动可能的高电流
- COM引脚仅需要小电流,因此不需要厚迹线
- 散热考虑:
- 通过降低θJA值(结到环境的热阻)来改善封装热性能,如使用外部散热片和/或冷却机制
7. 文档与支持
- 提供数据手册、应用指南和相关设计资源
- 可通过TI官网获取文档更新通知和支持资源