TPS1H100-Q1 具有可调电流限制的 40V、100mΩ、1 通道汽车智能高侧开关数据手册

描述

TPS1H100-Q1 器件是一款完全受保护的高压侧电源开关,集成了 NMOS 功率 FET 和电荷泵,适用于各种电阻、电感和电容负载的智能控制。精确的电流感应和可编程电流限制功能使其在市场上脱颖而出。
*附件:tps1h100-q1.pdf

特性

  • 适用于汽车应用
  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 功能安全能力
    • 提供有助于功能安全系统设计的文档
  • 具有全面诊断功能的单通道智能高侧电源开关
    • 版本 A:漏极开路状态输出
    • 版本 B:电流感应模拟输出
  • 宽工作电压 3.5 至 40 V
  • 极低待机电流 <0.5 μA
  • 工作结温:–40°C 至 150°C
  • 输入控制,兼容 3.3V 和 5V 逻辑
  • 高精度电流感应,1 A 时为 ±30 mA,5
    mA 时为 ±4 mA
  • 使用外部电阻器的可编程电流限制,0.5 A 时为 ±20%
  • 诊断使能功能,用于 MCU 模拟或数字接口的多路复用
  • 根据 AECQ100-12 A 级、
    100 万次对地短路测试
  • ISO7637-2 和 ISO16750-2 的电气瞬态干扰抗扰度认证
  • 保护
    • 过载和短路保护
    • 感性负载负电压钳
    • 欠压锁定 (UVLO) 保护
    • 具有自恢复功能的热关断 / 摆动
    • GND 丢失、电源保护丢失
    • 通过外部电路实现电池反向保护
  • 诊断
    • 导通和关断状态输出电池开路和短路检测
    • 过载和对地短路检测和电流限制
    • 热关断/摆幅检测
  • 14 引脚热增强型 PWP 封装

参数
FET

方框图

FET

1. 产品概述

TPS1H100-Q1‌ 是一款单通道智能高侧功率开关,适用于汽车和工业应用。它集成了NMOS功率FET和电荷泵,专为智能控制各种阻性、电感和电容负载而设计。

2. 主要特性

  • 宽工作电压范围‌:3.5V至40V
  • 低待机电流‌:小于0.5μA
  • 高精度电流感应‌:±30mA(1A时),±4mA(5mA时)
  • 可编程电流限制‌:通过外部电阻设置,±20%精度(0.5A时)
  • 全面保护‌:包括过载保护、短路保护、感性负载负电压钳位、欠压锁定(UVLO)保护、热关断/摆动保护、失地保护、失供保护和反向电池保护
  • 诊断功能‌:支持上电和下电状态的输出开路和短路到电池检测,以及过载和短路到地检测
  • AEC-Q100认证‌:适用于汽车应用,符合AEC-Q100标准,经过100万次短路到地测试

3. 功能模块

3.1 电流感应与限制

  • 版本B‌:提供高精度电流感应输出,电流镜像反射为CS引脚上的电压。
  • 外部可编程电流限制‌:通过CL引脚上的外部电阻设置电流限制阈值。
  • 内部电流限制‌:固定值,通常为10A,与外部可编程电流限制中的较小值应用为实际电流限制。

3.2 感性负载关断钳位

  • 在感性负载关断期间,内部钳位二极管保护功率FET免受负压损坏。

3.3 保护与诊断

  • 短路到地和过载检测‌:在导通状态下,如果触发电流限制,则报告短路到地故障。
  • 开路检测‌:在导通状态下,如果输出电流小于设定阈值,则检测为开路故障。
  • 短路到电池检测‌:在关断状态下,如果输出电压高于供电电压减去二极管正向电压,则检测为短路到电池故障。
  • 热保护‌:包括绝对温度热关断和动态温度热摆动诊断与保护。

3.4 其他保护特性

  • 欠压锁定(UVLO) ‌:防止供电电压过低时的不可预测行为。
  • 失地保护‌:在失地情况下关闭输出。
  • 失供保护‌:在失供情况下关闭输出。
  • 反向电流保护‌:提供外部电路以防止反向电流损坏设备。

4. 封装与尺寸

  • 封装类型‌:HTSSOP(PWP)14引脚
  • 尺寸‌:4.40mm × 5.00mm

5. 应用领域

  • 高侧功率开关‌:用于子模块、低瓦数灯泡、高侧继电器和电磁阀等。
  • PLC数字输出功率开关
  • 一般阻性、电感和电容负载

6. 设计指南

  • 电流感应电阻(R_CS) ‌:根据应用需求选择合适的电阻值,以确保电流感应电压在线性范围内(0V至4V)。
  • 电流限制电阻(R_CL) ‌:根据所需的电流限制值计算电阻值。
  • 布局考虑‌:优化PCB布局以改善热传导,确保结温不超过最大允许值。

7. 注意事项

  • 在存储或处理过程中,应注意静电放电(ESD)保护,以防止损坏MOS栅极。
  • 在设计时应考虑所有系统级因素,以确保设备的长期可靠性。

通过以上总结,可以全面了解TPS1H100-Q1的主要特性、功能模块、应用领域、设计指南和注意事项。

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