瑞乐半导体——TC Wafer晶圆测温系统持久防脱专利解决测温点脱落的难题

TC Wafer晶圆测温系统是一种专为半导体制造工艺设计的温度测量设备，通过利用自主研发的核心技术将高精度耐高温的热电偶传感器嵌入晶圆表面，实现对晶圆特定位置及整体温度分布的实时监测，记录晶圆在制程过程中的温度变化数据，为半导体制造过程提供一种高效可靠的方式来监测和优化关键的工艺参数。

【核心技术】

防脱落专利技术：TC Wafer晶圆测温系统在高温、真空或强振动环境中易出现测温点脱落问题，影响数据可靠性。瑞乐半导体通过自主研发的防脱落专利技术彻底解决传统测温点易脱落的痛点，优化工艺稳定性、提升良率，延长产品使用寿命，降低生产成本。

【应用范围】

物理气相沉积 (PVD)、原子层沉积 (ALD)、化学气相沉积 (CVD)、退火炉、去胶设备、晶圆临时键合、涂胶显影 TRACK 设备、 加热板、加热盘

【产品优势】

1. 1200℃耐高温测量：热电偶传感器能够承受1200℃的温度，TC Wafer适合用于监控在极端温度条件下进行的半导体制造过程。

2. 温度精确实时监测：TC Wafer可提供晶圆上特定位置的准确温度数据。

3. 详细温度分布图：通过在晶圆上布置多个点来收集温度数据，TC Wafer能够提供整个晶圆的温度分布情况，帮助识别不均匀加热或冷却的问题。

4. 瞬态温度跟踪：TC Wafer能够捕捉到快速变化的温度动态，如升温、降温、恒温过程以及延迟时间等关键参数的变化，为工艺优化提供数据支持。

5. 支持过程控制与优化：持续监控晶圆在热处理过程中的温度变化有助于工程师调整工艺参数，提高生产效率并确保产品质量。

6. 适用于多种晶圆尺寸：TC Wafer的设计使其能够适用于不同直径的晶圆，包括2英寸和大至12英寸的晶圆，满足各种制造需求。

【参数配置】

Wafer 尺寸	2”、3”、4”、6”、8”、12”	晶圆材质	硅片 / 蓝宝石等
测温点数	1-34	线长	L1- 腔体内部；L2- 仓门过渡段；L3- 腔体外部
测温元件	TC	采样频率	1Hz
TC 线径	0.127mm/0.254mm	配套主机	测温系统配套主机
温度范围	K型：RT~1200℃; R/S型：RT~1200℃; T型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃
温度精度	K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃
测温软件	测温专用软件，实时显示温度场剖面图及实时升温曲线图

 

TC Wafer晶圆测温系统通过防脱落专利技术、耐高温材料及多点测温设计，成为半导体制造中温度监控的关键工具。其在高至1200℃的环境下仍能保持稳定性和精度，为工艺优化、良率提升提供了可靠的数据支撑。未来，随着无线传输与智能化分析的进一步融合，TC Wafer晶圆测温系统将在半导体精密制造中发挥更大作用。