基于 ICeGaN® 和IVCC1104的2.5kW图腾柱无桥PFC设计案例研究

ICeGaN®助力瞻芯电子轻松升级IVCC1104参考设计平台，在大功率应用场景下展现易用性和卓越可靠性

英国剑桥——Cambridge GaN Devices（CGD）是一家无晶圆氮化镓（GaN）功率器件生产商，致力于开发节能高效GaN功率管和IC。该公司专利产品ICeGaN®通过高度的集成化极大的简化设计流程，加速产品落地。近日，CGD宣布与总部位于上海的碳化硅（SiC）功率器件与IC解决方案领先供应商瞻芯电子（Inventchip Technology）合作，已成功完成了基于ICeGaN的2.5kW CCM模式图腾柱无桥PFC的参考设计开发和验证。

基于IVCC1104和ICeGaN的大功率PFC解决方案

IVCC1104作为一款模拟图腾柱PFC控制芯片，内置高速、精确、可靠的模拟控制器，相比于数字控制芯片，封装更紧凑(16pin)，无需编程调试，不论搭配碳化硅(SiC)器件或氮化镓(GaN)器件，都能大幅简化器件选型，降低物料成本，加快电源产品的开发速度，还能解决一系列控制难点，保障开关电源方案的高效率、高可靠性，助力产品快速开发与推广。ICeGaN® IC将栅极接口电路、保护功能与主功率管单片集成，可直接和瞻芯电子IVCR1401驱动或市售通用Si/SiC驱动芯片兼容， 无需修改任何电路可无缝替换现有的Si和SiC 器件，实现效能提升。

（图为基于 ICeGaN® 和 IVCC1104 的 2.5kW 图腾柱无桥 PFC参考设计）

CGD技术市场与业务拓展总监 Di Chen 表示：
“瞻芯电子现有的2.5kW图腾柱PFC参考设计方案是基于TO-247封装， 通过一块半桥适配子板，替换为ICeGaN® P2系列的25mΩ GaN IC，在不修改驱动、控制策略、电路拓扑的情况下，即可正常运行。测试结果证明了ICeGaN® 能大幅缩短工程师学习和新品开发周期，加速GaN在大功率电源设计的导入和产品落地。”

瞻芯电子首席技术官 叶忠博士 评价：
“ICeGaN®器件在2.5kW图腾柱PFC中首次上电就能稳定工作，开关波形干净，尽管其DFN封装需通过TO247-4适配板焊接至主功率版，且栅极驱动和驱动电源走线较长，但从空载到满载均未发现异常或直通现象。CGD开发的ICeGaN® 性能令人印象深刻，展现出极强的抗噪性、易用性与高效能。”

GaN技术迈向大功率应用
GaN此前已在小功率快充设计中验证了效率与功率密度优势，现正被服务器/数据中心电源、马达驱动，光伏逆变器以及LED驱动制造商采用。目前众多电动汽车厂商也在积极评估GaN在新能源车上的潜在应用，比如主驱逆变，辅驱和OBC等。ICeGaN®技术凭借已验证的高可靠性和兼容性，尤其适合大功率场景。