TOLL/TOLT 封装系列：区别有哪些？

前言

TOLL（Transistor Outline Leadless）封装和TOLT（Transistor Outline Leaded Topside）封装均属于TOLx封装家族，两者在多个方面存在显著差异。

一、散热方式及热性能

TOLL封装：

采用底部散热方式。

散热路径相对较长：热量从Junction传导至Case，再通过Solder传导至PCB，然后通过VIAs（高密过孔）至散热器。散热路径相对较长：Junction → Case → Solder → PCB → VIAs → PCB → TIM → Heatsink。

 

由于散热路径较长，可能在一定程度上影响散热效率。

TOLT封装：

采用顶部散热方式。

散热路径更短：热量直接从Junction传导至Case，然后通过TIM（热界面材料）直接传导至Heatsink（散热器）。顶部散热方式使得散热路径更短：Junction → Case → TIM → Heatsink。

顶部散热方式显著优化了器件的散热能力，降低了散热成本，提高了器件的可靠性和性能。

测试分析表明，TOLT封装能够显著降低GaN开关管和散热器之间的热阻，相较于TOLL封装，TOLT封装的Rth（j-heatsink）可降低约30%，能将90%以上的热量通过散热器传递。

二、占板面积与布局

TOLL封装：

由于采用底部散热方式，驱动器无法布局在功率器件背面，因此占板面积相对较大。

TOLT封装：

GaN功率器件下方无电气连接且发热少，因此可以将驱动器背面布线。

更好的实现驱动走线的磁场相消，在高密电源中减少了布板面积，有利于功率密度的提升。

三、应用场景

TOLL封装：

已广泛应用于数据中心、逆变储能、电动汽车等大电流应用场景。

TOLT封装：

主要面向需要更好热性能的应用，如电动脚踏车、轻型电动车（LEV）、电动工具和电池管理系统等。

也适用于高功率密度设计，如OptiMOS™ 5功率MOSFET等高性能产品。