ADGM1121 0 Hz/DC 至 18 GHz，DPDT MEMS开关技术手册

概述
ADGM1121 是一款宽带双刀双掷 (DPDT) 开关，使用 ADI 公司的微机电系统 (MEMS) 开关技术制造。该技术可实现小尺寸、宽射频带宽、高线性和低插入损耗开关，工作频率低至 0 Hz/DC，使其成为满足各种射频和精密设备开关需求的理想解决方案。

集成驱动器芯片会产生高电压，从而以静电方式驱动可以由并行接口和串行外设接口 (SPI) 控制的开关。所有开关都是独立可控的。

该套件采用 24 引脚、5 mm × 4 mm × 1 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装。为确保 ADGM1121 以最佳方式工作，请参见数据手册中的“关键运行要求”部分。

ADGM1121 的导通电阻 (R ON ) 性能受零件间差异、通道间差异、周期驱动、导通后建立时间、偏置电压和温度变化的影响。
数据表：*附件：ADGM1121 0 Hz DC 至 18 GHz，DPDT MEMS开关技术手册.pdf

应用

• ATE 负载和探针板
• 具有高速环回测试功能的直流
• 高速 SerDes、PICe Gen4/5、USB4、PAM4
• 继电器替代方案
• 可重新配置滤波器/衰减器
• 军用和微波无线电
• 蜂窝基础设施：5G mm 波

特性

• 频率范围为直流至 18 GHz
• 高达 64 Gbps 的高比特率能力
• 低插入损耗：
• 8 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
• 16 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
• 高输入 IIP3：73 dBm（典型值）
• 高 RF 功率处理能力：33 dBm（最大值）
• 导通电阻：1.9 Ω（典型值）
• 高直流电流处理能力：200 mA
• 高开关周期数：1 亿次循环（最少值）
• 快速开关时间：200 μs TON（典型值）
• 集成 3.3 V 驱动器，可通过并行接口和 SPI 进行简单控制
• 紧凑型集成无源元件，包括去耦和分流电阻器
• 小 5 mm × 4 mm × 1 mm，24 引脚塑料封装
• 温度范围：−40°C 至 +85°C

框图

时序特征

引脚配置描述

典型性能特征

工作原理

开关设计

ADGM1121是一款宽带双刀双掷（DPDT）开关，采用亚德诺半导体（Analog Devices）的微机电系统（MEMS）开关技术制造。这种技术能够实现高性能、低功耗、低失真的千兆赫兹级开关，满足严苛的射频（RF）应用需求。

MEMS技术的一个关键优势在于，它能同时实现高频性能与出色的直流精度，在高达6GHz的频率下展现卓越表现，同时具备优异的可靠性和极小的表面贴装封装尺寸，使MEMS开关成为射频及精密信号仪器应用的理想之选。

并行数字接口

ADGM1121可通过并行接口进行控制。标准互补金属氧化物半导体（CMOS）低压晶体管 - 晶体管逻辑（LVTTL）信号通过该接口控制ADGM1121所有开关通道的独立开启/关闭。

设置引脚6（PIN/SPI）置低可启用并行控制接口。引脚1、2、3和4（IN1、IN2、IN3和IN4）控制ADGM1121的开关功能。当向这些引脚中的一个施加逻辑1时，相应的开关开启。反之，施加逻辑0时，开关关闭。真值表见表7。

当引脚23（V DD ）未施加电源电压时，所有开关均处于不确定状态。