晶体管我们经常说的参数有哪些？怎样去测量这些参数？

晶体管参数分类及说明

晶体管参数可从性能极限、电学特征、频率特性等维度划分，以下是综合参数分类及关键定义：

一、‌极限参数（最大耐受值）‌

‌电压参数‌

‌击穿电压‌：

‌VCEOVCEO（集电极-发射极击穿电压）‌：基极开路时的最大耐压值。

‌VCBOVCBO（集电极-基极击穿电压）‌：发射极开路时集电结反向耐压。

‌VEBOVEBO（发射极-基极击穿电压）‌：防止发射结反向击穿的关键参数。

‌最大反向电压‌：PN结反向偏置时的耐压极限，防止击穿。

‌电流与功率参数‌

‌最大集电极电流（ICIC）‌：晶体管可持续承载的最大电流。

‌最大功耗（PtotPtot）‌：晶体管工作时允许的最大功率损耗，需结合散热设计。

‌最大峰值电流‌：瞬时脉冲电流的耐受能力（如IGBT短路保护设计）。

‌温度参数‌

‌最大封装温度（TjmaxTjmax）‌：半导体结允许的最高温度（通常150°C~175°C）。

二、‌电学性能参数‌

‌增益与放大特性‌

‌电流放大系数（β/hFEβ/hFE）‌：BJT中共发射极电路的电流放大倍数。

‌转移电导（gmgm）‌：FET中栅极电压对漏极电流的控制能力。

‌导通与漏电特性‌

‌穿透电流（ICEOICEO）‌：基极开路时集电极-发射极的漏电流，反映热稳定性。

‌反向饱和电流（ICBOICBO）‌：集电结反向偏置时的漏电流，影响噪声性能。

‌开关特性‌

‌饱和电压（VCE(sat)VCE(sat)）‌：BJT导通时集电极-发射极的最小压降。

‌阈值电压（VthVth）‌：MOSFET开启导电沟道所需的最小栅极电压。

三、‌频率与动态参数‌

‌最大频率（fmaxfmax）‌：晶体管可正常工作的最高频率限值。

‌截止频率（fTfT）‌：电流放大系数降为1时的频率，决定高频放大能力。

‌开关时间（ton/toffton/toff）‌：MOSFET从截止到导通/关断的延迟时间。

四、‌结构相关参数‌

‌输入/输出电阻‌：反映晶体管对前后级电路的阻抗匹配特性。

‌噪声系数‌：量化信号传输过程中的噪声干扰程度（低噪声放大器设计关键）。

‌封装热阻（RθJCRθJC）‌：结到外壳的热阻，影响散热效率

‌这些参数怎样测量呢？——SC2020晶体管参数测试系统

一、系统概述

SC2020晶体管参数测试系统半导体分立器件电学参数测试专用设备。该系统采用模块化设计，满足半导体制造产业链各环节的测试需求，包括晶圆中测（Wafer Probing）、封装终测（Final Test），以及整机厂商IQC来料检验、研发机构失效分析等应用场景。

二、系统架构

硬件组成

采用台式一体化结构，包含测试主机与程控计算机两大核心模块

支持外接Prober接口（晶圆探针台）和Handler接口（16Bin分选机）

可扩展测试夹具库，适配不同封装形式的器件测试需求

软件平台

基于LabVIEW开发的专用测试软件

具备参数自动分档（Binning）、实时数据可视化功能

支持测试数据Excel格式导出及打印输出

三、核心性能指标

测试能力技术参数扩展选项电压测试范围0-1400V（可扩展至2000V）高压选件电流测试范围0-40A（可扩展至500A）大电流选件漏电流分辨率1.5pA-数据采集16位ADC，1MS/s采样率-测试吞吐量最高10,000件/小时（连接分选机）-

四、特色功能

四线制开尔文连接法确保测量精度

支持结电容参数测试（Ciss/Crss/Coss）

符合GJB128等军工测试标准

自动分类存储功能适配量产测试需求

五、典型应用

半导体制造：晶圆级参数筛选、封装成品测试

质量管控：来料检验(IQC)、可靠性验证

研发支持：器件选型配对、失效分析

审核编辑 黄宇