功率器件静态参数有哪些？怎样去测量？用什么设备更好？

功率器件静态参数分类与解析

功率器件的静态参数反映了其在稳态下的基本电气和热特性，是评估器件性能与可靠性的核心指标。以下是主要分类及具体参数说明：

一、电压相关参数

‌击穿电压‌

‌BVDSS‌（漏源击穿电压）：表征MOSFET在栅源短接时的最大耐压能力；

‌VCES‌（集射极阻断电压）：IGBT在关断状态下可承受的最高电压。

‌导通电压‌

‌VGS(th)‌（栅极开启阈值电压）：MOSFET导通所需的最小栅极驱动电压；

‌VGE(th)‌（栅射极阈值电压）：IGBT的导通门槛电压。

二、电流相关参数

‌漏电流‌

‌IDSS‌（漏源漏电流）：MOSFET在关断状态下的漏极电流；

‌IGSS‌（栅源漏电流）：栅极绝缘特性指标。

‌导通电流与饱和电流‌

‌饱和电流‌：器件在饱和区的最大承载电流能力；

‌静态工作电流‌：稳态下的功耗水平参数。

三、阻抗特性

‌导通电阻‌

‌RDS(on)‌：MOSFET导通时漏源极间的电阻，直接影响导通损耗；

‌VCES（饱和压降）‌：IGBT在饱和区的集射极电压，反映导通压降。

‌跨导（gm）‌

MOSFET栅极电压对漏极电流的控制能力。

四、热特性参数

‌最大允许功耗（Ptot）‌

器件在特定温度下的功率耗散极限；

‌热阻（RthJC）‌

结到壳的散热效率指标。

测试方法要点

‌稳态施加‌：通过精密电源施加稳定电压/电流信号，测量响应参数；

‌典型配置‌：栅极/基极施加阶梯信号，记录电压-电流特性曲线；

‌测试条件‌：需在固定温度（如25℃）及完全导通/关断状态下进行。

功率器件的静态参数测试需根据器件类型（如MOSFET、IGBT）选择对应测试方案，并结合热特性

PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

       PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

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●   大电流达6000A(多模块并联)

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●   高精度测量0.1%

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审核编辑 黄宇