UCC20225 2.5kVrms，4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC20225 是一款隔离式单输入、双输出栅极驱动器，具有 4A 拉电流和 6A 灌电流峰值电流，采用 5mm x 5mm LGA-13 封装。它旨在驱动高达 5MHz 的功率晶体管，具有一流的传播延迟和脉宽失真。

输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离RMS隔离栅，具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 直流 .
*附件：ucc20225.pdf

UCC20225 允许通过 DT 引脚上的电阻器实现可编程死区时间 （DT）。禁用引脚在设置为高电平时同时关闭两个输出，并在保持开路或接地时允许正常作。

该器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 至 18V 的宽输入 VCCI 范围使驱动器适合与模拟和数字控制器连接。所有电源电压引脚均具有欠压锁定 （UVLO） 保护。

凭借所有这些高级功能，UCC20225 可在各种电源应用中实现高功率密度、高效率和稳健性。

特性

• 单输入、双输出，具有可编程死区时间
• 5mm x 5mm 节省空间的 LGA-13 封装
• 切换参数：
  • 19ns 典型传播延迟
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 6ns 最大脉宽失真
• CMTI 大于 100V/ns
• 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
• VDD 高达 25V，UVLO 为 8V
• 可编程死区时间
• 抑制短于 5ns 的输入瞬变
• 快速禁用电源排序

参数

概述

UCC5是一款由Texas Instruments（TI）生产的.-kV RMS隔离双通道栅极驱动器，适用于驱动功率晶体管如MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等。该驱动器具有单输入、双输出配置，支持可编程死区时间，并提供高共模瞬态抑制能力（CMTI）和宽输入电压范围。

主要特性

• ‌隔离电压‌：2.5-kV RMS隔离屏障，确保高电气隔离。
• ‌双通道输出‌：单输入信号控制双通道输出，支持可编程死区时间。
• ‌高速开关性能‌：9-ns典型传播延迟，-ns最大延迟匹配，6-ns最大脉冲宽度失真。
• ‌高CMTI‌：大于0-V/ns的共模瞬态抑制能力，有效抵抗噪声干扰。
• ‌宽输入电压范围‌：3-V至-V的VCCI输入电压范围，适用于多种控制电路。
• ‌高输出电流‌：-A峰值源电流和6-A峰值沉电流，适合驱动大功率晶体管。
• ‌可编程死区时间‌：通过DT引脚设置死区时间，防止上下桥臂直通。
• ‌保护功能‌：具有欠压锁定（UVLO）保护、快速禁用功能和短路保护。

应用领域

• ‌服务器、电信、IT和工业基础设施‌：提供高可靠性和高效率的电源管理解决方案。
• ‌AC-DC电源供应‌：适用于各种AC-DC转换器，提高电源转换效率和稳定性。
• ‌电机驱动和DC-AC太阳能逆变器‌：用于驱动电机和太阳能逆变器中的功率晶体管。
• ‌混合动力汽车（HEV）和纯电动汽车（BEV）电池充电器‌：为电动汽车电池充电器提供高性能的栅极驱动解决方案。

功能描述

输入与输出

• ‌单输入双输出‌：单个PWM输入信号控制两个独立的输出通道A和B。
• ‌可编程死区时间‌：通过DT引脚设置输出通道A和B之间的死区时间，防止直通。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：VCCI和VDD均具有UVLO保护，确保供电电压不足时输出被锁定在低电平。

保护特性

• ‌快速禁用‌：通过设置DISABLE引脚为高电平，快速禁用两个输出通道。
• ‌短路保护‌：内部电路检测短路条件并采取措施保护功率晶体管。

性能特点

• ‌高速开关‌：低传播延迟和脉冲宽度失真，适合高频开关应用。
• ‌高CMTI‌：有效抑制共模噪声，提高系统稳定性。

典型应用

UCC5适用于驱动半桥和全桥拓扑中的功率晶体管，如MOSFET和IGBT。在典型应用中，UCC5通过PWM信号控制功率晶体管的开关，实现高效的电能转换和控制。

电源推荐

• ‌VCCI‌：推荐输入电源电压范围为3-V至-V。
• ‌VDDA/VDDB‌：推荐输出电源电压范围为.-V至5-V，注意不应超过器件的最大额定电压。

布局指南

• ‌电容放置‌：在VCCI、VDDA和VDDB引脚附近放置低ESR/ESL的旁路电容，以支持高速开关时的瞬态电流需求。
• ‌PCB布局‌：注意最小化高电流路径的寄生电感，确保良好的热散布和电气性能。
• ‌隔离性能‌：确保隔离屏障两侧的PCB布局满足隔离要求，避免电气连接和铜层重叠。