半导体分立器件分类有哪些?有哪些特性?

电子说

1.4w人已加入

描述

半导体分立器件分类及应用领域

半导体

一、核心分类

‌基础元件‌

‌二极管‌:包括普通二极管(如硅/锗二极管)、稳压二极管、肖特基二极管、瞬态电压抑制二极管(TVS)等。

‌三极管‌:如NPN/PNP型双极型晶体管(BJT)、达林顿管等。

‌功率器件‌

‌MOSFET‌(金属-氧化物半导体场效应晶体管):适用于高频开关场景。

‌IGBT‌(绝缘栅双极型晶体管):结合MOSFET和BJT特性,用于高压大电流场景。

‌晶闸管(可控硅)‌:包括单向/双向可控硅(SCR/Triac),用于交流调压等场景。

‌整流器与整流堆‌:如桥式整流器、高压整流堆。

‌特种器件及传感器‌

‌光电器件‌:如光耦、光敏二极管/三极管。

‌敏感器件‌:涵盖压力、磁敏(霍尔器件)、气敏、湿敏、离子敏感等传感器。

‌雪崩管、阶跃恢复管等特殊功能器件‌。

‌其他功能器件‌

‌继电器‌:用于电路隔离控制。

‌压敏电阻‌:过压保护器件。

二、主要应用领域

‌汽车电子‌:IGBT用于电动汽车逆变器,TVS用于电路保护。

‌消费电子‌:二极管、MOSFET应用于电源管理和信号处理。

‌工业与能源‌:晶闸管用于电机驱动,高压器件支撑光伏逆变器。

‌通信与网络设备‌:高频三极管、场效应管用于信号放大和切换。

‌航天与国防‌:特种传感器、高压器件适配极端环境需求。

三、技术参数与功能特征

‌关键参数‌:导通电阻(RDS(on))、击穿电压(BV)、漏电流(IR)、开关速度等。

‌功能特性‌:

‌单向导电性‌(二极管);

‌电流放大或控制功能‌(三极管、场效应管);

‌高压/高温稳定性‌(IGBT、高压可控硅)。

审核编辑 黄宇

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分