集成电路后段互连设计规则的三种电流

描述

目前集成电路后段互连的设计规则中存在三种电流相关规则,分别是:

Javg,对应直流DC电流规则;

Jrms,对应交流AC电流规则;

Jpeak,对应最大脉冲瞬时电流规则。

文章下面将分三部分,分别对上述三种电流从来源机理,失效理论,和检测手法等方面展开论述。

1. Javg

Javg,或称Iavg/Jdc/Idc,即保证EM低风险的最大直流DC电流,是直接和电迁移效应失效相关联的。

所谓“电迁移”,简单的表述其失效机理如图1所示。中间大圆球代表带正电的金属离子。它受到两种力的作用:一种是在电场影响下的作用力,一种是被电子撞击,有动量交换的产生,就是所谓的“电子风”作用力的影响下,往另一个相反的方向移动。

DC

在电子风作用力大于反向电场作用力的条件下,金属离子发生移动,在宏观上表现出物质迁移运输的现象。

如图2所示,电迁移会导致在金属互连线和通孔附近产生空洞,并逐渐长大造成互连失效。

DC

DC

▲图2

从数学计算的方面来看,Javg的计算公式(1)可以得到Javg电流首先是一个电流随时间的积分平均值,并且该值是有方向性的。即正负方向的电流在这个积分平均中是会相互抵消的。这也是符合上面电迁移具有方向性机理的。

DC

▲公式(1)

对Javg的检验方法即电迁移EM评估,通常需要高温,大电流(密度),长时间的加速实验。其测试流程是通过在施加温度和电流时测量电阻,直至该测试样品达到设定电阻变化,被判定失效发生,测试实验终止(参考JEDEC标准JEP001-1A)。电迁移EM作为集成电路失效的重要风险之一,是工艺可靠性重要和必须评估项目。

2. Jrms

Jrms电流所对应相关的是金属互连的自热效应,是发生自热低风险的最大电流值。虽然自热本身是非破坏性的,将它引入设计规则,其目的是为了避免自热导致环境温度上升,从而使抗电迁移EM性能下降,失效风险增大。Jrms通常定义为升温5℃温度差条件下的电流值。

Jrms中rms的英文全称是root-mean-square,数学上均方根的概念。

如公式(2)所示,其计算方法是对电流密度J平方随时间积分平均的平方。

DC

▲公式(2)

从公式中可以看到,和之前说过的Javg不同,Jrms电流是没有方向性的。电流平方的数值其本身是含有能量概念,与前述的自热效应的原理是相呼应的。

Jrms的数据可以通过实测获得。与EM实验需要高温大电流的专用设备机台不同,采用普通半导体测试仪器亦可。其方法是通过测试获得不同宽度金属线的热阻,并结合微观热学理论可以推导计算出不同线宽条件下的Jrms,将该和线宽相关公式放入设计规则中,并采用实际升温5℃温度差来作为Jrms定义数值。

3. Jpeak

Jpeak是设计允许的金属互连的最大瞬时电流,其相对应的是瞬时大电流导致烧毁发生的失效模式。

DC

▲公式(3)

从其定义的公式(3)也可以看到该电流是没有方向性的。它是超大电流下发生的烧毁损坏,可以看作是大电流导致自热过大所造成的破坏。因此Jpeak远远大于Jrms,通常是Jrms的十几甚至几十倍。

不过正因为Jpeak电流值较大,在正常电路设计中的互连金属线基本不会超过Jpeak如此严苛的场景。由此该设计规则在有些晶圆制造厂不会被提供。但是会针对上层金属线可能经受静电放电ESD/电过应力EOS的情况,特别做一些针对性的过流能力测试,比如TLP, 浪涌等实验,也可以比较好的覆盖潜在Jpeak失效风险。

总结:

本文深入浅出的介绍了后段互连设计规则的三种电流(Javg/Jrms/Jpeak)。Javg电流规则是直接对应电迁移失效。Jrms关联对应自热效应,而Jpeak相对应的是瞬时大电流导致烧毁发生的失效模式。

在本文中提到涉及多种测试实验,失效检测和分析手段,季丰电子都有承接相关业务的能力。

季丰电子

季丰电子成立于2008年,是一家聚焦半导体领域,深耕集成电路检测相关的软硬件研发及技术服务的赋能型平台科技公司。公司业务分为四大板块,分别为基础实验室、软硬件开发、测试封装和仪器设备,可为芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料装备等半导体产业链和新能源领域公司提供一站式的检测分析解决方案。

季丰电子通过国家级专精特新“小巨人”、国家高新技术企业、上海市“科技小巨人”、上海市企业技术中心、研发机构、公共服务平台等企业资质认定,通过了ISO9001、 ISO/IEC17025、CMA、CNAS、IATF16949、ISO/IEC27001、ISO14001、ISO45001、ANSI/ESD S20.20等认证。公司员工超1000人,总部位于上海,在浙江、北京、深圳、成都等地设有子公司。 

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