SM72482 Dual Gate Driver 以改进的峰值取代了行业标准的栅极驱动器 输出电流和效率。每个“复合”输出驱动器级包括 MOS 和双极 并联工作的晶体管,共同从容性负载吸收超过 5A 的峰值电流。 结合 MOS 和双极器件的独特特性,减少驱动电流变化 电压和温度。还提供欠压锁定保护。驱动程序可以是 通过连接输入和输出并联运行,使驱动电流能力翻倍。这 器件采用 SOIC 封装。
*附件:sm72482.pdf
特性
- 可再生能源等级
- 独立驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 复合 CMOS 和双极输出可减小输出电流变化
- 5A 灌电流、3A 拉电流能力
- 两个通道可以并联,使驱动电流增加一倍
- 独立输入(TTL 兼容)
- 快速传播时间(典型值为 25 ns)
- 快速上升和下降时间(2 nF 负载时,上升时间为 14 ns,下降时间为 12 ns)
- 提供双通道同相、双通道反相和组合配置
- 电源轨欠压锁定保护 (UVLO)
- SM72482 UVLO 配置为通过 OUT_A 驱动 PFET,通过 OUT_B 驱动 NFET
- 引脚与行业标准栅极驱动器兼容
- 包
参数

方框图

一、产品概述
- 型号:SM2
- 类型:双5A复合栅极驱动器
- 特点:
- 替代行业标准栅极驱动器,提高峰值输出电流和效率
- 每个“复合”输出驱动级包含MOS和双极晶体管,共同从电容性负载中吸收超过5A的峰值电流
- 独立驱动两个N沟道MOSFET
- 提供欠压锁定(UVLO)保护
- 可选配置:双非反相、双反相和组合配置
二、应用领域
- 同步整流栅极驱动器
- 开关模式电源栅极驱动器
- 电磁阀和电机驱动器
三、引脚描述与功能
- IN_A/IN_B:A/B侧控制输入,TTL兼容阈值
- VEE:输入和输出的地参考,连接到电源地
- OUT_A/OUT_B:A/B侧驱动器输出,电压摆幅从VCC到VEE
- VCC:正输出电源,本地去耦到VEE
- NC:不连接
四、电气特性
- 工作电压范围:VCC-VEE为.V至V
- UVLO阈值:VCC-VEE为2.3V至.V
- VCC供电电流:典型值为mA至2mA(根据型号和输入条件)
- 控制输入阈值:高电平阈值1.3V至.V,低电平阈值.V至2.0V
- 输出驱动能力:峰值源电流3A,峰值沉电流5A
五、开关特性
- 传播延迟时间:低至高5ns至0ns,高至低ns至ns
- 上升时间:ns至ns
- 下降时间:ns至ns
六、热特性
- 结到环境热阻:SOIC封装为°C/W,VSSOP封装为0°C/W
七、详细操作描述
- 输出级采用MOS和双极晶体管并联结构,优化宽输出电压和温度范围内的电流能力
- 控制输入为高阻抗CMOS缓冲器,具有TTL兼容阈值电压
- UVLO电路监控VCC和VEE之间的电压差,当电压差低于.V时禁用驱动器
八、布局考虑
- 需在VCC和VEE引脚之间连接低ESR/ESL电容器,以支持高峰值电流
- 适当接地至关重要,需为电流返回提供低阻抗路径
- 最小化电流承载导体的长度,以减少电感和由高di/dt瞬变产生的EMI