TPS2819-EP 增强型产品 2A/2A 单通道栅极驱动器数据手册

描述

TPS28xx 单通道高速 MOSFET 驱动器能够向高电容负载提供高达 2A 的峰值电流。高开关速度 (tr和 t f = 14 ns(典型值)通过使用 BiCMOS 输出获得。典型阈值开关电压为 2/3 和 1/3 V 抄送 .该设计本身就最大限度地减少了击穿电流。
*附件:tps2819-ep.pdf

TPS2816 至 TPS2819 器件上均提供稳压器,允许在 14 V 至 40 V 的电源输入下工作。稳压器输出可用于为其他电路供电,前提是功率耗散不超过封装限制。如果不需要调节器,则 V DD 系列 (稳压器输入端)应连接到 V 抄送 .TPS2816 和 TPS2817 输入电路包括一个有源上拉电路,在使用集电极开路 PWM 控制器时无需外部电阻器。TPS2818 和 TPS2819 与 TPS2816 和 TPS2817 相同,只是省略了有源上拉电路。TPS2828 和 TPS2829 与 TPS2818 和 TPS2819 相同,只是省略了内部稳压器,从而在输入为高电平或低电平时允许静态电流降至 15 μA 以下。

TPS28xx 系列器件采用 5 引脚 SOT-23 (DBV) 封装,可在 -55°C 至 125°C 的环境温度范围内工作。

特性

  • 受控基线
    • 一个装配站点
    • 一个测试站点
    • 一个制造工地
  • -55°C 至 125°C 的扩展温度性能
  • 增强的 Diminishing Manufacturing Source (DMS) 支持
  • 增强的产品变更通知
  • 资格血统书^(1)^
  • 低成本、单通道高速 MOSFET 驱动器
  • 抄送 . . .最大 15μA(TPS2828、TPS2829)
  • 25 ns 最大上升/下降时间和 40 ns 最大传播延迟 . . .1 nF 负载
  • 2A 峰值输出电流
  • 4 V 至 14 V 驱动器电源电压范围;内部稳压器将范围扩展到 40 V(TPS2816、TPS2817、TPS2818 TPS2819)
  • 5 引脚 SOT-23 封装
  • -55°C 至 125°C 环境温度工作范围
  • 高度抗闩锁效应

参数
MOSFET驱动器

一、产品概述

1. 基本信息

  • 产品名称‌:TPS9-EP
  • 类型‌:单通道高速MOSFET驱动器
  • 封装‌:引脚SOT-(DBV)
  • 温度范围‌:-°C至°C

2. 主要特点

  • 低成本‌:经济型单通道高速MOSFET驱动器
  • 高速性能‌:最大5ns上升/下降时间,0ns最大传播延迟
  • 高输出电流‌:峰值输出电流达A
  • 宽供电范围‌:V至V驱动器供电电压,内部调节器可扩展至V(TPS6至TPS9)
  • 增强型DMS支持‌:提供减少制造源(DMS)支持和产品变更通知

二、引脚配置与功能

1. 引脚配置

  • VDD‌:调节器供电电压输入(TPS9中未连接)
  • GND‌:地
  • IN‌:驱动器输入
  • OUT‌:驱动器输出,OUT = IN
  • VCC‌:驱动器供电电压/调节器输出电压

2. 功能描述

  • VDD‌:为内部调节器供电(TPS除外)
  • GND‌:公共地参考
  • IN‌:接收控制信号,控制OUT引脚的输出状态
  • OUT‌:输出端,根据IN引脚的状态驱动外部MOSFET
  • VCC‌:为驱动器供电,并提供调节后的电压输出(TPS至TPS)

三、电气特性

1. 绝对最大额定值

  • VCC供电电压‌:-.V至V
  • VDD调节器供电电压‌:VCC -.V至V
  • 输入电压‌:-0.3V至VCC + 0.5V
  • 输出电压‌:-.V至VCC + .V
  • 连续输出电流‌:±0mA
  • 连续调节器输出电流‌:5mA
  • 结温‌:-°C至°C

2. 推荐操作条件

  • VCC供电电压‌:V至V
  • 环境温度‌:-5°C至5°C

3. 电气特性

  • 输入阈值电压‌:正向阈值约/VCC,负向阈值约1/3VCC
  • 输入电流‌:低电平或高电平时,最大为微安级
  • 输出高电平电压‌:约V至V
  • 输出低电平电压‌:约.8V至.5V
  • 供电电流‌:根据VCC电压和输入状态,典型值为微安级至毫安级

四、开关特性

  • 上升时间‌:典型值ns,最大值0ns
  • 下降时间‌:典型值ns,最大值0ns
  • 高电平到低电平传播延迟‌:典型值4ns,最大值ns
  • 低电平到高电平传播延迟‌:典型值4ns,最大值ns

五、应用信息

1. 典型应用

  • 适用于需要高速、高电流驱动的应用,如开关模式电源、DC-DC转换器等
  • 提供了与PWM控制器和功率MOSFET连接的典型应用电路图

2. 设计考虑

  • 布局‌:驱动器应靠近MOSFET放置,以减少寄生电感和噪声
  • 旁路电容‌:建议在VCC和GND之间放置旁路电容,以减少高频噪声
  • 输入处理‌:当使用开漏PWM控制器时,TPS6和TPS7内部的主动上拉电路可消除对外部上拉电阻的需求

六、封装与订购信息

1. 封装选项

  • SOT-3(DBV) ‌:引脚小外形晶体管封装

2. 订购信息

  • 提供了详细的订购信息,包括封装类型、引脚配置、订单代码等
打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分