LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高压栅极驱动器设计用于驱动 采用同步降压或半桥配置的高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。 浮动高压侧驱动器能够在高达 100 V 的电源电压下工作。The A 版本提供完整的 3A 栅极驱动，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分别。输出由 CMOS 输入阈值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 输入阈值 （LM5101A/B/C）。

提供集成高压二极管，用于为高侧栅极驱动自举充电 电容器。坚固的电平转换器以高速运行，同时功耗低，并提供 从 Control Logic 到 Highside 栅极驱动器的 Clean Level 转换。欠压锁定 在低侧和高侧电源轨上均提供。这些设备在 标准 SOIC-8 引脚、SO PowerPAD-8 引脚和 WSON-10 引脚封装。LM5100C 和 LM5101C 是 还提供 MSOP-PowerPAD-8 封装。LM5101A 还提供 WSON-8 引脚 包。
*附件：lm5101b.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道
  MOSFET
• 独立的高电平和低电平驱动器逻辑输入
• 自举电源电压高达 118 V DC
• 快速传播时间（典型值为 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  时间驱动 1000pF 负载
• 出色的传播延迟匹配（典型值为 3ns
  ）
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 引脚兼容 HIP2100/HIP2101

参数

方框图

一、产品概述

LMB 是一款高电压、高速半桥N沟道MOSFET驱动器，提供A的栅极驱动电流。该驱动器适用于同步降压转换器、半桥和全桥功率转换器等应用，具有独立的高低侧输入和TTL兼容输入阈值。

二、主要特性

• ‌高电压能力‌：支持高达V的自举供电电压。
• ‌高速性能‌：传播时间典型值为ns，具有优秀的延迟匹配。
• ‌独立输入‌：高低侧驱动器具有独立输入，TTL兼容阈值。
• ‌高驱动能力‌：提供A的峰值输出电流。
• ‌低功耗‌：在轻载条件下具有较低的静态电流。
• ‌欠压锁定保护‌：高低侧电源均具有欠压锁定保护功能。
• ‌集成自举二极管‌：内置高电压二极管，用于高侧栅极驱动电容的充电。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正电源输入，为低侧驱动器供电。
• ‌HB‌：高侧自举电源输入，连接自举电容的正极。
• ‌HS‌：高侧源连接，连接高侧MOSFET的源极和自举电容的负极。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出，连接高侧MOSFET的栅极。
• ‌LI‌：低侧输入，控制低侧栅极驱动器的输出。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出，连接低侧MOSFET的栅极。
• ‌VSS‌：负电源终端，通常接地。
• ‌HI‌：高侧输入，控制高侧栅极驱动器的输出。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB最高可达V。
• ‌输入阈值‌：TTL兼容输入，高电平输入阈值典型值为.V至.V，低电平输入阈值典型值为.V至.V。
• ‌输出特性‌：低电平输出电压（VOL/LOL）和高电平输出电压（VOH/HOH）分别取决于VDD和VHB。
• ‌传播延迟‌：典型值为ns至ns。
• ‌欠压锁定阈值‌：VDD UVLO阈值典型值为.V，具有.V迟滞；HB UVLO阈值典型值为.V，具有.V迟滞。

五、功能描述

• ‌欠压锁定‌：高低侧电源均具有独立的欠压锁定保护，确保在供电电压不足时禁止输出。
• ‌电平移位‌：高侧输入与高侧驱动器级之间的电平移位电路，实现与高侧MOSFET的有效接口。
• ‌自举二极管‌：内置高电压二极管，用于为高侧栅极驱动电容充电。
• ‌输出阶段‌：高转换速率、低电阻的输出驱动器，支持高效MOSFET开关。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：适用于同步降压转换器、半桥和全桥功率转换器、两开关正向转换器以及有源钳位正向转换器等。
• ‌设计考虑‌：包括自举电容和VDD电容的选择、外部自举二极管和电阻的考虑、栅极驱动电阻的选择以及驱动器功耗的估计等。
• ‌布局指南‌：强调了驱动器IC和被动元件的布局原则，以减少寄生电感和提高电路性能。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供多种封装选项，包括SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
• ‌订购信息‌：详细列出了不同封装和状态的订购代码，以及相关的封装尺寸和带卷信息。

八、文档与支持

• ‌相关文档‌：提供了应用笔记、热指标应用报告等相关文档的链接。
• ‌支持资源‌：链接到TI的EE在线支持论坛，用户可以在此获取技术支持和设计帮助。