TPS2836 和 TPS2837 是用于同步降压功率级的 MOSFET 驱动器。这些器件非常适合使用没有 MOSFET 驱动器的开关控制器设计高性能电源。这些驱动器旨在为大型电容负载提供最小 2A 的峰值电流。高侧驱动器可配置为接地参考或浮动自举。自适应死区时间控制电路消除了开关转换期间通过主功率 FET 的击穿电流,并为降压稳压器提供了高效率。
*附件:tps2837.pdf
TPS2836 具有同相输入,而 TPS2837 具有反相输入。这些驱动器采用 8 引脚 SOIC 封装,工作在 –40°C 至 125°C 的结温范围内。
特性
- 浮动自举或接地参考高边驱动器
- 自适应死区时间控制
- 50ns 最大上升/下降时间(3.3nF 负载)
- 2.4A 典型输出电流
- 4.5V 至 15V 电源电压范围
- TTL 兼容输入
- 内部肖特基自举二极管
- 低电源电流....3 mA(典型值)
- 非常适合用于大电流单相或多相电源
- -40°C 至 125°C 工作虚拟结温范围
参数

1. 产品概述
- 产品名称: TPS
- 类型: 同步降压MOSFET驱动器,带死区时间控制
- 特点:
- 可配置为高侧浮动自举驱动或接地参考驱动
- 自适应死区时间控制,防止主功率FET间的穿透电流
- TTL兼容输入
- 内部肖特基自举二极管
- 低供电电流(典型值3mA)
- 适用于高性能单相或多相电源供应
2. 主要规格
- 供电电压范围: .V至V
- 输出电流: 典型值2.4A,峰值可达A
- 上升/下降时间: 最大ns(3.3nF负载)
- 工作温度范围: -°C至°C
3. 功能描述
- 低侧驱动器: 设计用于驱动低RDS(on) N沟道MOSFET,源和漏电流均为2A。
- 高侧驱动器: 可配置为接地参考或浮动自举驱动,内部自举二极管为肖特基型以提高驱动效率。
- 死区时间控制: 通过控制MOSFET驱动器的开启时间,防止主功率FET在切换过程中的穿透电流。
- 输入信号: TPS具有反相输入,TTL兼容数字输入信号。
4. 封装与尺寸
- 提供8引脚SOIC封装,封装尺寸为0.8英寸(.0毫米)至0.7英寸(.5毫米)。
5. 电气特性
- 静态电流: VCC=V时,低电平使能下为μA,高电平使能下为至μA。
- 输出驱动能力: 高侧源电流最大.A,低侧源电流最大.A。
- 输入阈值电压: 高电平输入阈值超过VCC的.V,低电平输入阈值在V至VCC的2V之间。
6. 应用信息
- 提供了使用TPS7和TL1A PWM控制器的kHz同步降压转换器的电路原理图,该转换器输入电压范围为.V至V,输出电压为3.3V,连续负载能力为A,瞬态负载能力为A。
- 强调了PCB布局的重要性,特别是功率处理部分和敏感节点的布局,以减少EMI和提高效率。
7. 机械数据
- 提供了SOIC封装的详细尺寸信息,包括引脚间距、封装高度等。
8. 封装选项与材料信息
- 提供了TPSD和TPS7DR两种封装选项的详细信息,包括封装类型、引脚数、RoHS状态、引脚完成材料和MSL等级。