电子说
概述
DS4520是9位非易失(NV) I/O扩展器,具有通过I²C兼容的串行接口控制的64字节NV用户存贮器。与用来控制数字逻辑节点的硬件跳线和机械开关相比,DS4520为用户提供了数字可编程的替代方案。并且,每一个引脚的数字状态可以通过串行接口读取。每一个I/O引脚都是独立配置的。输出是开漏极输出,并具有可选的上拉。每一个输出都能吸收12mA的电流。因为设备是NV的,它可以一上电就处于期望的状态,从而能够在上电之后立即控制数字逻辑输入,而不用等待主机CPU来初始化控制。
数据表:*附件:DS4520 9位、I²C、非易失、输入 输出扩展器与存储器技术手册.pdf
应用
特性
引脚配置描述

交流电气特性
典型操作特性
框图
详细说明
DS4520 包含九个双向、非易失性(NV)输入/输出(I/O)引脚,以及一个 64 字节的 EEPROM 用户存储器。I/O 引脚和用户存储器可通过 I²C 兼容串行总线进行访问。
可编程非易失性 I/O 引脚
每个可编程 I/O 引脚由一个输入和一个集电极开路输出组成,带有一个可选择的内部上拉电阻。要为每个 I/O 引脚启用上拉功能,请写入上拉使能寄存器(F0h 和 F1h)。要将输出拉低,或将下拉晶体管置于高阻抗状态,请写入 I/O 控制寄存器(F2h 和 F3h)。要读取 I/O 引脚上的电压电平,请读取 I/O 状态寄存器(F8h 和 F9h)。要确定输出的状态,请读取 I/O 控制寄存器和上拉电阻寄存器。I/O 控制寄存器和上拉使能寄存器均为 SRAM 映射的 EEPROM 寄存器。可以使用配置寄存器中的 SEE 位禁用寄存器的 EEPROM 写入操作。这样做可以减少写入寄存器所需的时间,并且增加在 EEPROM 磨损之前可对 I/O 引脚进行调整的次数。
内存映射与内存类型
DS4520 的内存映射见表 1。DS4520 中有三种不同类型的内存:EEPROM、SRAM 映射 EEPROM 和 SRAM。指定为 EEPROM 的内存位置是非易失性的。向这些位置写入内容会在 EEPROM 写入周期中产生两次写入操作,其时间特性如“AC 电气特性”表中所示。指定为 SRAM 映射 EEPROM 的位置可通过配置寄存器(最低有效位为 F4h)中的 SEE 位配置为在两种模式下运行。当 SEE 位为 0(默认值)时,该内存位置的行为类似于 EEPROM。然而,当 SEE 位为 1 时,会写入影子 SRAM 而非 EEPROM。这消除了 EEPROM 写入时间(tWR)的问题,同时也消除了 EEPROM 磨损的问题。这对于需要频繁更新 I/O 引脚的应用来说是理想的选择。上电默认状态下,I/O 引脚配置写入 EEPROM(SEE = 0),上电后,可将 SEE 位写为 1,这样 I/O 引脚就能定期更新到影子 SRAM。DS4520 中存在的最后一种内存类型是标准 SRAM。
从机地址和地址引脚
DS4520 的从机地址由图 1 中所示的 A0、A1 和 A2 地址引脚的状态决定。连接到 VCC 的地址引脚会在从机地址的相应位位置产生“1”。反之,连接到 GND 的地址引脚会在从机地址的相应位位置产生“0”。I²C 通信中的从机地址将在后面的 I²C 串行接口描述部分进行说明。
I²C 串行接口描述
I²C 定义
以下术语常用于描述 I²C 主设备:
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