Analog Devices Inc. ADMV1550双平衡混频器数据手册

描述

Analog Devices ADMV1550双平衡混频器采用无引线、符合RoHS指令的表面贴装技术 (SMT) 封装,便于在15GHz至65GHz之间用作上变频器或下变频器。ADMV1550通用双平衡混频器在中频(IF)端口上提供直流至20GHz的宽带宽,支持灵活的频率规划,避免仿制品。

数据手册:*附件:Analog Devices Inc. ADMV1550双平衡混频器数据手册.pdf

Analog Devices ADMV1550混频器采用砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 方法制造,无需外部元件或匹配电路。得益于优化的平衡-不平衡转换器结构,ADMV1550可提供出色的本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 和本地振荡器 (LO) 至中频 (IF) 抑制。该混频器的典型LO振幅为15dBm。ADMV1550符合RoHS指令,无需引线键合,因此可以使用表面贴装制造技术。

ADMV1550采用紧凑型4mm x 4mm、18端子焊盘栅格阵列 (LGA) 封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。

特性

  • 转换损耗:8dB(15GHz至50GHz时的典型值)
  • 输入IP3:20dBm(15GHz至50GHz时的典型值)(下变频器)
  • 输入IP2:40dBm(15GHz至50GHz时的典型值)(下变频器)
  • 输入P1dB:11dBm(典型值)(上变频器)
  • 本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 隔离:35dB(典型值)
  • 本地振荡器 (LO) 至中频 (IF) 隔离:35dB(典型值)
  • 射频至中频 (IF) 隔离:45dB(15GHz至50GHz时的典型值)
  • 18端子,符合RoHS指令,4mm x 4mm LGA封装

应用

  • 微波和甚小孔径终端 (VSAT) 无线电
  • 测试设备
  • 军事电子战 (EW)
  • 电子对抗 (ECM)
  • 指挥、控制、通信和情报

框图

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接口原理图

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