氩离子抛光仪/CP离子研磨截面抛光案例

样品切割和抛光

 

配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化，

 

 

氩离子切割制样原理

 

氩离子切割制样是利用氩离子束（〜1mm）来切割样品，以获得相比FIB制样（通常十几微米）面积更大的电子显微分析区域。

其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。

氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术，是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

 

 

氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点

 

 

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点

 

1.对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。

 

寄样要求
 

1. 送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。

 

2. 样品的尺寸要求：

• 块状样品：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）
• 粉末样品：10g以上。
   

案例分析
1.金属结合面

 

2.锂电池石墨电极截面观

 

3.锂电池石墨颗粒平面抛

 

4.线路板截面抛光

 

5.芯片N极截面抛光

 

6.支架镀层二焊点截面抛光

 

7.支架镀层结构截面抛

 

8.页岩抛光

 

9.样品抛光后显示出高度孪

 

10.抛光后的锆合金的菊池花样

 

11.EBSD欧拉角分布图

 

12.IPFZ 面分布