Analog Devices Inc. LTC7892两相升压控制器数据手册

Analog Devices LTC7892两相升压控制器可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，输出电压高达100V。高性能双通道升压直流-直流开关稳压器控制器简化了应用设计，与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）解决方案相比，无需保护二极管或额外外部元件。内部智能自举开关可在死区时间停止将增强型引脚过度充电至SW引脚和高侧驱动器，从而保护顶部GaN FET的栅极。LTC7892的死区时间可选择通过外部电阻器进行优化，以实现裕度调节或定制应用，从而实现更高效率并实现高频工作。adi LTC7892的栅极驱动电压可在4V至5.5V范围内精确调节，以优化性能，支持不同的GaN场效应晶体管甚至逻辑电平MOSFET。从升压转换器稳压器输出偏置时，LTC7892可在低至1V的输入电源下工作。

数据手册：*附件：Analog Devices Inc. LTC7892两相升压控制器数据手册.pdf

特性

• GaN驱动技术针对GaN场效应晶体管进行了全面优化
• 输出电压高达100 V
• 宽VIN 范围：4V至60V，启动后工作电压低至1V
• 无需捕获、夹钳或自举二极管
• 内部智能自举开关可防止高侧驱动器电源过度充电
• 电阻器可调死区时间
• 精确的可调驱动器电压和UVLO
• 低工作IQ ：15μA
• 分离输出栅极驱动器，可实现可调导通和关断驱动器强度
• 可编程频率（100 kHz至3 MHz）
• 可同步频率（100kHz至3MHz）
• 扩频调频
• 40引脚（6mmx6mm)侧面可湿QFN封装
• 符合汽车应用类AEC-Q100标准

应用

• 汽车和工业电源系统
• 军用航空电子设备和医疗系统
• 电信电源系统

典型应用

性能图表

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