全球存储器市场需求持续不减,国际大厂纷纷投入扩产行动。包括龙头三星在NAND Flash方面,宣布中国西安开始第2期的建设工程,DRAM上也有意在韩国平泽(Pyeongtaek)厂大幅生产。
而另一家韩国大厂SK海力士,除了生产NAND Flash的M15厂预期在2019年正式营运之外,在DRAM部分也斥资86亿美元,将在中国无锡兴建第2期厂房。
另外,专注在NAND Flash产品的东芝,除了Fab 6厂即将在2019年营运外,还斥资70亿美元用于兴建Fab7厂,完成后将用于96层堆叠的3D NAND Flash生产。
美光部分,日前除宣布将在新加坡设立NAND Flash的第3座工厂之外,在DRAM产品方面,虽然无新扩建产能的计划,但是预计将在中国***地区以提高生产效率来拉高位成长率的方式,提升产能。
因此,面对各家国际存储器大厂的来势汹汹,中国的存储器厂投资也开始急起直追,预计也将在2019年加入全球扩产战局。
根据TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)指出,中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式存储器的合肥长鑫,以及致力于利基型存储器晋华集成3大阵营为主。
以目前3家厂商的进度来看,其试产时间预计将在2018年下半年,随着3大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年,揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。
DRAMeXchange表示,从3大厂目前布局进度来看,合肥长鑫的厂房已于2017年6月封顶完工,并且于第3季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同,试产时程将会落于2018年第3季,量产则暂定在2019年的上半年,时程较预期落后。
此外,由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb,尔后面临专利争议的可能性也较高,为了避免此一状况,除了积极累积的专利权外,初期可能将锁定于中国销售。
反观,专注于利基型存储的晋华集成,在2016年7月宣布于福建省晋江市建12寸厂,投资金额约53亿美元,以目前进度来看,其利基型存储器的试产延后至2018年第3季度,量产时程也将落在2019年上半年。
此外,从中国厂商NAND Flash的发展进程来看,2016年12月底,由长江存储主导的国家存储器基地正式动土,官方预期分3阶段,共建立3座3D-NAND Flash厂房。
第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建,预定2018年第3季开始移入机台,并于第4季进行试产,初期投片不超过1万片,用于生产32层3D-NAND Flash产品,并预计于自家64层技术成熟后,再视情况拟定第2、3期生产计划。
DRAMeXchange指出,观察中国存储器厂商的研发与产出计划,2019年将是中国存储器产业的生产元年。但也由于2家DRAM厂预估初期量产规模并不大,短期难撼动全球市场现有格局。
无论是DRAM或是NAND Flash产品,各家都是初试啼声,相较于耕耘多年的既有存储器大厂所面临的挑战更多,因此亦不排除量产时间点也可能比原先预期延后。
长期来看,随着中国存储器产品逐步成熟,预计2020年到2021年,2家DRAM厂商现有工厂将逐步满载,在最乐观的预估下,届时2家厂商合计约有每月25万片的投片规模,可能将开始影响全球DRAM市场的供给。
另一方面,长江存储计划设有的3座厂房总产能可能高达每月30万片,不排除长江存储完成64层产品开发后,可能将进行大规模的投片,进而在未来3到5年对NAND Flash的供给产生重大影响。
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