ADuM320N/ADuM321N 5.7 kV RMS/3.0 kV RMS双通道数字隔离器技术手册

概述
[ADuM320N]/ADuM321N均为采用ADI公司iCoupler ^®^ 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，提供出色的性能特征，在5Mbps时可满足CISPR 32/EN 55032 B类限制。这些器件的最大传输延迟为10 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。

ADuM320N/ADuM321N数据通道属于独立式通道，提供多种配置选择，可承受5.7 kV RMS和3.0 kV RMS的电压额定值（有关更多信息，请参见数据手册的“订购指南”部分）。这些器件均采用2.25 V至5.5 V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。

它们提供两种不同的故障安全选项，输入电源未用时，输出转换到预定状态。
数据表：*附件：ADuM320N ADuM321N 5.7 kV RMS 3.0 kV RMS双通道数字隔离器技术手册.pdf

应用

• 逆变器
• 电源
• 工业现场总线隔离
• PWM控制器信号隔离
• 通用多通道隔离

特性

• 高共模瞬变抗扰度：180 kV/μs（典型值）
• 对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
• 低传播延迟
  • 5 V工作电压下典型值：6.2 ns（最大值：10 ns）
• 低动态功耗，1 Mbps时<1.65 mA/通道
• 2.25 V至5.5 V电平转换
• 最大保证数据速率：150 Mbps
• 工作温度高达：125℃
• 安全和法规认证
  • UL认证(UL1577)
    • 5700 V rms (SOIC_IC)
    • 3000 V rms (SOIC_N)
  • VDE合格证书
    • VIORM = 1173 VPEAK (SOIC_IC)
    • VIORM = 636 VPEAK (SOIC_N)
  • CSA元件认证，符合IEC 62368-1和IEC 61010-1标准
  • TÜV SÜD元件认证，符合EN 62368-1标准
  • CQC元件认证，符合GB4943.1-2022标准
• ±8 kV IEC 61000-4-2 ESD隔离栅保护
• 输入/输出引脚上提供±4 kV HBM ESD保护
• 故障安全高(N1)或低(N0)选项
• SOIC_N向后兼容
  • ADuM1200/ADuM1201/ADuM1210/ADuM1211
  • ADuM3200/ADuM3201/ADuM3210/ADuM3211
  • ADuM120N/ADuM121N
• 通过AEC-Q100汽车应用认证
• 工作温度范围：−40°C至+125°C
• 采用8引脚、窄体、符合RoHS标准的标准小型SOIC_N封装，以及8引脚、宽体、符合RoHS标准的标准小型SOIC_IC封装

框图

引脚配置描述

典型性能特征

工作原理

ADuM320N/ADuM321N利用高频载波，通过iCoupler芯片级变压器线圈（由聚酰亚胺绝缘层隔开）跨越隔离栅传输数据。采用非归零（NRZ）技术和差分架构，如图13和图14所示，ADuM320N/ADuM321N的数据传播延迟极低，可实现高速运行。

VDD1和VDD2电源之间相互独立。它们可以在各自指定的工作电压范围内的任意电压下同时工作，也可以按任意顺序工作，这使得隔离器能够在2.5V、3.3V和5V逻辑电压下进行数据传输。该架构设计用于实现高共模瞬态抗扰度（CMTI），并能有效抵御电气噪声和磁干扰。通过扩频OOK载波及其他技术，可将辐射发射降至最低。

图13展示了失效安全输出状态为低电平时，ADuM320N/ADuM321N的波形。当输入侧关闭或不工作时，载波波形停止，低失效安全输出状态（ADuM320N/ADuM321N0）会将输出设置为低电平。对于具有高失效安全状态的ADuM320N/ADuM321N，图14展示了输入侧关闭或不工作时的情况，此时输入状态为高电平，高失效安全输出状态（ADuM320N1/ADuM321N1）会将输出设置为高电平。有关失效安全输出状态为低电平或高电平的型号编号信息，请参见“订购指南”部分。