高速CMOS四总线缓冲器MC74VHC125DG带三态控制输入 EDA模型与数据手册分享

描述

MC74VHC125DG简要说明

基本信息

  • 制造商‌:ON Semiconductor
  • 产品型号‌:MC74VHC125DG
  • 产品类型‌:高速CMOS四总线缓冲器,带三态控制输入
  • 封装类型‌:SOIC-14和TSSOP-14(无铅)

MC74VHC125DG EDA模型下载地址:

https://www.elecfans.com/p/e349884553

MC74VHC125DG数据手册分享

*附件:MC74VHC125DG.pdf

主要特性

  • 高速操作‌:典型传播延迟时间为3.8 ns(Vcc = 5 V)
  • 低功耗‌:最大静态电流为4 mA(TA = 25°C)
  • 高噪声免疫‌:VNIH和VNIL为28% Vcc
  • 输入保护‌:提供电源关闭保护功能
  • 三态控制‌:OE输入置高可将输出置于高阻态
  • 宽电压范围‌:支持2 V至5.5 V的工作电压
  • 接口兼容性‌:允许5 V系统与3 V系统的接口
  • ESD性能‌:人体模型> 2000 V,机器模型> 200 V
  • 汽车级应用‌:NLV前缀版本符合AEC-Q100标准,适用于汽车等需要独特站点和控制变更要求的应用
  • 环保标准‌:无铅、无卤素/BFR,符合RoHS标准

引脚与功能

  • 引脚配置‌:14引脚SOIC和TSSOP封装
  • 主要功能引脚‌:
    • OE‌:输出使能输入(低电平有效)
    • A1-A4‌:数据输入
    • Y1-Y4‌:缓冲输出
    • Vcc‌:电源正极
    • GND‌:电源负极

ON Semiconductor

电气特性

  • 输入电压范围‌:0 V至5.5 V
  • 输出电压‌:
    • 高电平(VOH):在特定条件下,最小值接近Vcc
    • 低电平(VOL):在特定条件下,最大值接近GND
  • 输入/输出漏电流‌:最大输入漏电流为1 μA,最大三态泄漏电流为2.5 μA
  • 静态电流‌:最大静态电流为40 mA(Vcc = 5.5 V)
    ON Semiconductor

ON Semiconductor

切换特性

  • 传播延迟时间‌:典型值为3.8 ns至16 ns,具体取决于Vcc和负载电容
  • 输出使能/禁用时间‌:典型值为3.6 ns至18 ns,具体取决于Vcc和负载电容
  • 输出间偏斜‌:典型值为1.0 ns至1.5 ns

封装尺寸

  • 提供了SOIC-14和TSSOP-14封装的详细尺寸图
    ON Semiconductor

ON Semiconductor

注意事项

  • 未使用的输入必须连接到适当的逻辑电压水平(GND或Vcc)
  • 未使用的输出必须保持开路
  • 设备包含保护电路,但仍需避免超过最大额定电压的应用

ON Semiconductor

MC74VHC125DG EDA模型下载地址:

https://www.elecfans.com/p/e349884553

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