电子说
协处理器是一种芯片,用于减轻系统微处理器的特定处理任务。
协处理器,这是一种协助中央处理器完成其无法执行或执行效率、效果低下的处理工作而开发和应用的处理器。这种中央处理器无法执行的工作有很多,比如设备间的信号传输、接入设备的管理等;而执行效率、效果低下的有图形处理、声频处理等。为了进行这些处理,各种辅助处理器就诞生了。需要说明的是,由于现在的计算机中,整数运算器与浮点运算器已经集成在一起,因此浮点处理器已经不算是辅助处理器。而内建于CPU中的协处理器,同样不算是辅助处理器,除非它是独立存在。
高通的处理器目前没有协处理器这一说。不过骁龙芯片内置的Hexagon 682 DSP相当于协处理器。
Hexagon 682 DSP实现了处理能力和性能的提升,并通过支持面向机器学习的GoogleTensorFlow和面向图像处理的Halide,使移动平台更加智能化。Hexagon 682 DSP作为骁龙835平台中的关键所在,是其强大的第二芯,旨在在不影响电池续航时间的前提下,为设备带来强大性能。
整个移动平台可分担工作负载,因而能够使用一直在线的如集成语音识别和可靠的私人助理等诸多设备功能,而不必担心会耗尽电量。
高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会提升电池续航。
骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz,并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计,大小核均为Kryo280架构,大核心频率2.45GHz,大核心簇带有2MB的L2 Cache,小核心频率1.9GHz,小核心簇带有1MB的L2 Cache,GPU为Adreno 540@670MHz,相比上代性能提升25%,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。
新的骁龙835处理器,支持Quick Charge 4快速充电,比起Quick Charge 3.0,其充电速度提升20%,充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸,能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。
Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时,此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,适配范围更广泛。
高通并未公布骁龙835的更多信息,但表示10nm工艺将会带来更好的性能,提升功率效率,作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。 三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%,效率提升40%。
骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存,带宽提升明显。
骁龙835性能参数表
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