Analog Devices Inc. ADRF5162大功率硅SPDT反射开关数据手册

Analog Devices Inc. ADRF5162大功率单刀双掷 (SPDT) 反射式硅开关是一款采用硅工艺制造的反射式开关。ADRF5162的工作频率范围为0.4GHz至8GHz，典型插入损耗为0.6dB，典型隔离为45dB。该器件插入损耗路径具有平均功率45.5dBm、峰值功率50dBm的射频 (RF) 输入功率处理能力。

数据手册：*附件：Analog Devices Inc. ADRF5162大功率硅SPDT反射开关数据手册.pdf

Analog Devices ADRF5162在+3.3V正电源上消耗130μA的低电流，在-3.3V负电源上消耗500μA的电流。该器件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)/兼容低压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。ADRF5162无需额外的驱动器电路，因此非常适合用于替代基于GaN和PIN二极管的开关。

ADRF5162采用24引线、4.0mm × 4.0mm、符合RoHS指令的引线框架芯片级封装 (LFCSP)，工作温度范围为-40°C至+105°C。

特性

• 0.4 GHz至8 GHz频率范围
• 低插入损耗：4GHz时为0.6dB（典型值）
• 高隔离：4GHz时为45dB（典型值）
• 高输入线性度
  • 0.1dB功率压缩点 (P0.1dB)：50dBm
  • 三阶交调截点 (IP3)：>76dBm
• PIN ≤43dBm时的RF稳定时间：1.2μs/0.1dB
• 无低频杂散
• 正向控制兼容CMOS/LVTTL的接口
• 工作温度范围：-40 °C至+105 °C
• TCASE =+85°C时，具有高功率处理能力
  • 插入损耗路径
    • 平均功率：45.5 dBm
    • 脉冲功率（>100ns脉冲宽度，15%占空比）：48.5dBm
    • 峰值功率（≤100ns峰值持续时间，5%占空比）：50dBm
  • RFC的热开关功率：43dBm
• 24引线、4.0mm × 4.0mm LFCSP封装
• 符合RoHS标准

应用

• 军用无线电、雷达和电子对抗
• 蜂窝基础设施
• 测试和仪器仪表
• 替代GaN和PIN二极管

功能框图