中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺，2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺

中芯国际联席CEO梁孟松透露，中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺，2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺，并藉此进入AI芯片领域。

梁孟松表示，28nm工艺在整个2018年将占据中芯国际出货量的5-10％，其中新的28nm HKC占比将基本接近28nm Poly-SiON。

2017年第四季度，中芯国际深圳200毫米晶圆厂的产能为442750块晶圆，2018年第一季度提升至447750块，平均产能利用率也提高到88.3％。

同时，来自电源管理IC的需求也越来越高，200毫米晶圆厂正全力生产，高压BCD工艺则转向其300毫米晶圆厂。

2017年，中芯国际收入31.01亿美元，同比增长6.4％，毛利率23.9％，同比下降5.3个百分点，净利润10.81亿美元，同比增长10.6％。

其中，28nm工艺贡献的收入增长4.4倍创造新高，总体占比为8.0％，

中芯国际联系CEO赵海军透露，2018年第一季度中芯国际收入8.31亿美元，毛利率26.5％，研发投入1.23亿美元，预计第二季度收入环比增长7-9％，毛利率23-25％。

赵海军表示，中芯国际40％的收入都来自中国内地。