随着全球对可再生能源需求的激增,钙钛矿太阳能组件(PSMs)因其高光电转换效率和低成本制备潜力,成为光伏领域的研究热点。然而,其产业化面临的关键挑战之一是串联互连工艺中激光划刻的精度与可靠性。激光划刻直接决定了组件的几何填充因子(GFF)、串联电阻和长期稳定性。传统的多激光源划刻方案成本高昂,而纳秒紫外激光(355 nm)因其短波长、低穿透深度和材料普适性,被视为实现单一激光源全工艺步骤划刻的理想选择。本研究采用单一纳秒紫外激光器(355nm)实现PSM串联互连中的所有划刻步骤(P1-P3),并利用美能钙钛矿在线透过率测试机对关键功能层(如TCO、钙钛矿和金属电极)进行原位光学性能检测,确保划刻工艺的稳定性和可重复性。
钙钛矿太阳能组件(PSMs)制备
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串联n-i-p型钙钛矿太阳能组件中P1-P2-P3划刻工艺流程
基底处理:玻璃/ITO和玻璃/FTO基底依次用稀释清洁剂、去离子水和异丙醇超声清洗20分钟,随后UV-O₃处理20分钟。功能层沉积:
P1-P2-P3 划刻工艺参数
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串联互连结构(以 n-i-p 型 PSM 为例)包含三个关键划刻步骤:
P1划刻工艺优化
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玻璃/ITO和玻璃/FTO样品上划刻条纹(P1)SEM图像及轮廓(a-f为玻璃/ITO,m-r为玻璃/FTO)
P2划刻工艺研究
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(a)到(f)在玻璃/ITO/SnO₂结构上划刻的钙钛矿层(P2)的SEM图像
紫外激光选择性优势:355nm波长下,钙钛矿吸收远高于TCO(如SnO₂),可实现精准去除而不损伤底层。关键工艺参数影响:

玻璃/ITO/SnO₂/PSK/PVK/CuInS₂结构在划刻前后透射光谱
透射光谱验证:功率150mW时,多次划刻仍存在钙钛矿残留;功率≥234mW时,ITO损伤加剧但残留减少。最优窗口为150-234mW(80kHz,400mm/s)。
P3划刻工艺优化
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不同参数下Au薄膜(P3)刻蚀的光学显微镜图像
P3划刻的目的是在背电极(如Au薄膜)上形成隔离条纹,以防止相邻单元之间的短路。通过调整参数,可以在不损伤底层钙钛矿层的情况下,实现精确的背电极划刻。实验发现,Au电极分割的最佳工艺参数为:
纳秒紫外激光(355nm)通过精确调控功率密度、频率和扫描速度,成功实现钙钛矿太阳能组件(PSMs)串联互连的P1-P3划刻。P1划刻:FTO基底耐受性优于ITO,柔性PEN/ITO需优化边缘清理。P2划刻:紫外激光提供宽参数窗口(119-234mW),透射光谱快速验证残留。P3划刻:高频低功率避免金属剥离,分割后效率稳定。
美能钙钛矿在线透过率测试机
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钙钛矿太阳能电池的在线透过率检测设备是一种实时监测钙钛矿薄膜、透明氧化玻璃或组件光学透过率的系统,用于优化工艺、确保均匀性并提升电池效率。
结合美能钙钛矿在线透过率测试机的薄膜光学监测,可快速验证P2划刻中钙钛矿残留并优化工艺,为低成本、高效率钙钛矿太阳能组件(PSMs)的规模化生产提供了技术支撑。
原文参考:UV Laser Scribing for Perovskite Solar ModulesFabrication, Pros, and Cons
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