概述
[ADuM3220]/ADuM3221是采用ADI公司iCoupler ^®^ 技术的4 A隔离式双通道栅极驱动器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。
ADuM3220/ADuM3221提供两个独立隔离通道中的数字隔离。它们具有60 ns的最大传播延迟和5 ns的通道间匹配。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM3220/ADuM3221的输入与各输出之间具有真电气隔离优势,能够跨越隔离栅实现电压转换。ADuM3220拥有直通保护逻辑,能够防止两路输出同时开启,而ADuM3221允许两路输出同时开启。两者均可提供默认低电平输出特性,这对栅极驱动应用来说是必不可少的。
ADuM3220/ADuM3221工作时的输入电源电压范围在3.0 V到5.5 V之间,可与较低电压系统兼容。ADuM3220A/ADuM3221A输出端的工作电源电压为4.5 V到18 V。ADuM3220B/ADuM3221B输出端的工作电源电压为7.6 V到18 V。
ADuM3220/ADuM3221的额定结温范围为-40°C至+125°C。
数据表:*附件:ADuM3220 ADuM3221隔离式4A双通道门极驱动器技术手册.pdf
应用
特性
功能框图
引脚配置描述
典型性能特征
应用信息
印刷电路板布局
ADuM3220/ADuM3221数字隔离器的逻辑接口无需外部接口电路。强烈建议在输入和输出电源引脚(如Pin 1和Pin 20用于V_{CC1},Pin 11和Pin 10用于V_{CC2})处进行电源去耦,以提供良好的高频旁路。建议添加一个10 pF电容来增强ADuM3220/ADuM3221对输出端快速压摆率的适应能力。应避免在输出电源引脚上使用大值旁路电容,或者如果使用,应通过小电感进行旁路。小电容两端与输入或输出电源引脚之间的总引线长度均不应超过8 mm。

传播延迟相关参数
传播延迟是描述逻辑信号通过器件传播所需时间的参数。输入到输出的传播延迟是信号从低到高转换的时间。高到低转换的传播延迟时间可能与低到高转换的不同。
ADuM3220/ADuM3221数字隔离器将低到高输出传播延迟定义为输入信号穿过逻辑阈值(V_{IL})与输出穿过其高逻辑阈值(V_{OH})之间的时间。类似地,高到低传播延迟是输入穿过其高逻辑阈值(V_{IH})与输出穿过其低逻辑阈值(V_{OL})之间的时间。上升时间和下降时间取决于负载条件,且不计入传播延迟,这是门驱动器的行业标准。

通道间延迟匹配是指单个ADuM3220/ADuM3221器件内各通道之间传播延迟差异的最大量。
传播延迟差异是指在相同条件下工作的多个ADuM3220/ADuM3221器件之间传播延迟差异的最大量。
热限制和开关负载特性
对于隔离式门驱动器,输入和输出电路之间必要的隔离使得无法使用单个导热垫,因此热量主要通过封装引脚散发到电路板。
封装热阻限制了开关损耗的性能。可以使用1Ω串联栅极电阻针对不同的ADuM3220/ADuM3221输出计算最大热耗散。例如,该曲线显示了典型ADuM3220/ADuM3221驱动大MOSFET(具有120 pF栅极电荷)在8 V输出时的情况,这相当于以300 kHz的频率切换。
输出负载特性
ADuM3220/ADuM3221输出信号取决于MOSFET的特性。输出响应通常可以通过以下方式建模:N沟道MOSFET驱动器的输出电阻(R_{DS(ON)})、与开关输出轨迹(走线)相关的电感、串联栅极电阻(R_G)以及栅源电容(C_{GS}),如图21所示。
**R_{DS(ON)}**是ADuM3220/ADuM3221内部驱动器的电阻,约为1.5Ω。R_G是MOSFET的本征栅极电阻和任何外部串联电阻。MOSFET需要约1.4Ω的栅极驱动电阻,这会带来典型的本征栅极电阻值。**C_{GS}**是MOSFET的输入电容,对于精心设计的电路板布局、短走线和良好的连接,其值通常为50 pF,对于设计不佳的电路板,其值可能更高。
ADuM3220/ADuM3221输出驱动MOSFET的R-L-C电路的品质因数(Q因子)决定了输出响应的阻尼方式。对于欠阻尼输出,Q因子大于1。添加串联栅极电阻可抑制输出响应。

在图16和图17中,显示了ADuM3220/ADuM3221输出波形,**C_{GS}**分别为28 pF和1 nF,**L_{PCB}为10 nH。对于C_{GS}**为28 pF,计算得到的Q因子为1.5,这低于所需的良好阻尼值。
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